[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611160431.X | 申請日： | 2016-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN106992122B | 公開（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 中田和成 | 申請（專利權(quán)）人： | 三菱電機(jī)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有下述工序：
準(zhǔn)備半導(dǎo)體晶片的工序，該半導(dǎo)體晶片具有第1晶片面、晶片外周端以及與所述第1晶片面相反的第2晶片面；
在所述半導(dǎo)體晶片的所述第1晶片面之上形成凹凸形狀的工序；
在形成所述凹凸形狀的工序之后使用涂覆法在所述半導(dǎo)體晶片的所述第1晶片面之上形成樹脂部件的工序，該樹脂部件具有與所述晶片外周端分離的樹脂外周端，該樹脂部件將所述晶片外周端露出；
通過將所述半導(dǎo)體晶片部分地去除而在所述半導(dǎo)體晶片的所述第2晶片面形成凹部形狀的工序，該凹部形狀具有位于所述樹脂外周端的內(nèi)側(cè)且與所述樹脂外周端相距大于或等于0.5mm的凹部外周端；
在形成所述凹部形狀的工序之后，進(jìn)行所述半導(dǎo)體晶片的所述第2晶片面之上的處理的工序；以及
在進(jìn)行所述處理的工序之后，將所述樹脂部件去除的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
形成所述樹脂部件的工序包含下述工序：
在所述第1晶片面之上堆積所述樹脂部件的工序；以及
在堆積所述樹脂部件的工序之后，將所述樹脂部件平坦化的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
進(jìn)行所述處理的工序包含在所述第2晶片面之上形成擴(kuò)散層的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
進(jìn)行所述處理的工序包含在所述第2晶片面之上形成電極層的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
還具有在將所述樹脂部件去除的工序之前對所述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
在形成樹脂部件的工序中，所述樹脂外周端配置于所述晶片外周端的內(nèi)側(cè)且與所述晶片外周端相距大于或等于0.5mm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
