[發(fā)明專利]一種新型溝槽式肖特基整流器件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201611160133.0
• 申請日: 2016-12-15
• 公開（公告）號: CN106847935A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李風(fēng)浪
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞市聯(lián)洲知識產(chǎn)權(quán)運(yùn)營管理有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11246
• 代理人: 連平

1.一種新型溝槽式肖特基整流器件，包括：第一導(dǎo)電類型襯底，形成于所述第一導(dǎo)電類型襯底上的第一導(dǎo)電類型導(dǎo)電層，形成于所述第一導(dǎo)電類型導(dǎo)電層上表層中的第一溝槽，填充所述第一溝槽的第一導(dǎo)電介質(zhì)，形成于所述第一溝槽與所述第一導(dǎo)電介質(zhì)之間的柵絕緣層，形成于所述第一導(dǎo)電類型導(dǎo)電層表面上的金屬電極層，金屬電極層與第一導(dǎo)電類型導(dǎo)電層形成第一肖特基勢壘，其特征在于：相鄰兩個第一溝槽之間形成n個深度小于第一溝槽的第二溝槽，n為正整數(shù)，所述第二溝槽內(nèi)填充第二導(dǎo)電介質(zhì)，所述第二導(dǎo)電介質(zhì)與所述第一導(dǎo)電類型導(dǎo)電層形成第二肖特基勢壘，且所述第二肖特基勢壘高度不大于第一肖特基勢壘高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型溝槽式肖特基整流器件，其特征在于：所述第二肖特基勢壘高度小于第一肖特基勢壘高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型溝槽式肖特基整流器件，其特征在于：所述第二溝槽內(nèi)的第二導(dǎo)電介質(zhì)與第一溝槽內(nèi)的第一導(dǎo)電介質(zhì)通過柵絕緣層隔離。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型溝槽式肖特基整流器件，其特征在于：所述第二溝槽形成在所述第一溝槽兩側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型溝槽式肖特基整流器件，其特征在于：所述第二導(dǎo)電介質(zhì)與第一導(dǎo)電介質(zhì)材料相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型溝槽式肖特基整流器件，其特征在于：所述第二導(dǎo)電介質(zhì)與金屬電極層材料相同。

7.一種新型溝槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)依次在第一導(dǎo)電類型襯底上外延生長第一導(dǎo)電類型導(dǎo)電層，在第一導(dǎo)電類型導(dǎo)電層上形成第一溝槽，在第一溝槽內(nèi)壁形成柵絕緣層；

(2)在第一溝槽內(nèi)填充第一導(dǎo)電介質(zhì)；

(3)在相鄰兩個第一溝槽之間形成n個深度小于第一溝槽的第二溝槽，n為正整數(shù)；

(4)在第二溝槽內(nèi)填充第二導(dǎo)電介質(zhì)；

(5)第一導(dǎo)電類型導(dǎo)電層上表面形成金屬電極層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的新型溝槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電介質(zhì)與金屬電極層材料相同時，(4)、(5)步同時進(jìn)行。

9.一種新型溝槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)依次在第一導(dǎo)電類型襯底上外延生長第一導(dǎo)電類型導(dǎo)電層，在第一導(dǎo)電類型導(dǎo)電層上形成第一溝槽，在第一溝槽內(nèi)壁形成柵絕緣層；

(2)在相鄰兩個第一溝槽之間形成n個深度小于第一溝槽的第二溝槽，n為正整數(shù)；

(3)在第一溝槽以及第二溝槽內(nèi)填充第一導(dǎo)電介質(zhì)以及第二導(dǎo)電介質(zhì)材料，第一導(dǎo)電介質(zhì)與第二導(dǎo)電介質(zhì)材料相同；

(4)第一導(dǎo)電類型導(dǎo)電層上表面形成金屬電極層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的新型溝槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于：所述第一導(dǎo)電介質(zhì)與第二導(dǎo)電介質(zhì)以及金屬電極層材料相同時，(3)、(4)步同時進(jìn)行。