[發(fā)明專(zhuān)利]一種三維納米多孔硅的制備裝置及制備系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611159904.4
• 申請(qǐng)日: 2016-12-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106744672B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪捐;耿其東;周兆鋒;杜建周;黃因慧
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鹽城工學(xué)院;江蘇海州經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)
• 主分類(lèi)號(hào): B82B3/00
• 分類(lèi)號(hào): B82B3/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 欒波

1.一種三維納米多孔硅的制備裝置，其特征在于，包括底座、激波發(fā)生器、激波電源、工作液槽、化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器以及溫度計(jì)，所述激波發(fā)生器設(shè)置于所述底座的頂部，所述工作液槽設(shè)置于所述激波發(fā)生器的頂部，所述化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器通過(guò)夾持裝置設(shè)置于所述工作液槽內(nèi)，所述溫度計(jì)設(shè)置于所述化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器內(nèi)，所述工作液槽內(nèi)設(shè)置有加熱元件，所述激波電源設(shè)置于所述底座的側(cè)壁，所述激波發(fā)生器的電路和所述加熱元件的電路均與所述激波電源的電路連接，所述三維納米多孔硅的制備裝置還包括抽吸泵，所述化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器的底部設(shè)置有過(guò)濾器，所述過(guò)濾器與所述化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器的底壁之間形成一個(gè)出液腔，所述化學(xué)刻蝕反應(yīng)器對(duì)應(yīng)所述出液腔的側(cè)壁開(kāi)設(shè)有出液孔，所述出液孔與所述抽吸泵連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維納米多孔硅的制備裝置，其特征在于，所述夾持裝置包括相互連接的立桿和夾件，所述立桿固定連接于所述底座，所述夾件夾設(shè)于所述化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器的外壁。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維納米多孔硅的制備裝置，其特征在于，所述夾持裝置還包括升降桿、升降機(jī)，所述立桿中空且側(cè)壁沿長(zhǎng)度方向開(kāi)設(shè)有條狀開(kāi)口，所述升降桿設(shè)置于所述立桿內(nèi)，所述升降機(jī)設(shè)置于所述底座內(nèi)，所述升降桿的底端與所述升降機(jī)連接，所述夾件遠(yuǎn)離所述化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器的一端穿過(guò)所述條狀開(kāi)口與所述升降桿連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維納米多孔硅的制備裝置，其特征在于，所述夾持裝置還包括橫桿，所述橫桿連接于所述立桿遠(yuǎn)離所述底座的一端，所述溫度計(jì)遠(yuǎn)離所述化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器的一端與所述橫桿連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維納米多孔硅的制備裝置，其特征在于，所述過(guò)濾器包括過(guò)濾膜和過(guò)濾器主體，所述過(guò)濾膜的邊緣與所述過(guò)濾器主體可拆卸連接，所述過(guò)濾器主體與所述化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器的內(nèi)壁可拆卸連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維納米多孔硅的制備裝置，其特征在于，所述化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器的內(nèi)壁設(shè)置有用于放置所述過(guò)濾器主體的環(huán)形凸起，且所述過(guò)濾器主體與所述環(huán)形凸起之間設(shè)置有第一密封墊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三維納米多孔硅的制備裝置，其特征在于，所述過(guò)濾器主體包括相互扣接的支撐網(wǎng)和扣合件，所述過(guò)濾膜夾設(shè)于所述支撐網(wǎng)和所述扣合件之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維納米多孔硅的制備裝置，其特征在于，所述支撐網(wǎng)靠近所述扣合件的一側(cè)設(shè)置有第二密封墊，所述扣合件靠近所述支撐網(wǎng)的一側(cè)設(shè)置有第三密封墊。

9.一種三維納米多孔硅的制備系統(tǒng)，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的三維納米多孔硅的制備裝置。