[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201611159323.0
• 申請日: 2016-12-15
• 公開（公告）號: CN107068773B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 織田真也;德田梨繪;神原仁志;河原克明;人羅俊實
• 申請（專利權）人: 株式會社FLOSFIA
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/24;H01L29/47
• 代理公司: 深圳瑞天謹誠知識產權代理有限公司 44340
• 代理人: 溫青玲

1.一種半導體裝置，其特征在于，至少具備：含有具有剛玉結構的結晶性氧化物半導體作為主成分的半導體層，以及與所述半導體層肖特基接觸的肖特基電極，所述結晶性氧化物半導體的金屬元素中包含的鎵的原子比為0.5以上，所述肖特基電極具有包括第一層和第二層的至少兩層，所述第一層或所述第二層含有選自元素周期表第4族～第9族中的至少1種金屬，且所述金屬是元素周期表第4周期的過渡金屬。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，至少具備第1半導體層、第2半導體層、以及設置在第1半導體層上的肖特基電極，第1半導體層和第2半導體層分別含有具有剛玉結構的結晶性氧化物半導體作為主成分，第1半導體層的載流子密度小于第2半導體層的載流子密度。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述結晶性氧化物半導體含有鎵或銦。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述結晶性氧化物半導體為α-Ga₂O₃或其混晶。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，進一步具備歐姆電極，所述歐姆電極含有元素周期表第4族或第11族的金屬。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體層的厚度為40μm以下。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，以1MHz進行測定時的電容在0V偏壓下為1000pF以下。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體層的表面積為1mm²以下。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述肖特基電極的面積為1mm²以下。

10.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置中流通1A以上的電流。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其為功率器件。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其為功率模塊、變頻器或變流器。

13.一種半導體系統，其特征在于，其具備半導體裝置，所述半導體裝置是權利要求1所述的半導體裝置。