[發明專利]QLED及其制備方法

有效

• 申請號: 201611159253.9
• 申請日: 2016-12-15
• 公開（公告）號: CN106784212B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 劉佳;曹蔚然;向超宇;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 黃志云

1.一種QLED，其特征在于，包括依次層疊設置的基板、陽極、氧化石墨烯層、量子點發光層、氧化石墨烯衍生物層和陰極，其中，所述氧化石墨烯衍生物層的材料為氧化石墨烯衍生物，且所述氧化石墨烯衍生物包括GO-Cs、GO-Rb中的至少一種。

2.如權利要求1所述的QLED，其特征在于，所述氧化石墨烯層的厚度為30-50nm。

3.如權利要求1所述的QLED，其特征在于，所述氧化石墨烯衍生物層的厚度為30-60nm。

4.如權利要求1-3任一所述的QLED，其特征在于，還包括空穴傳輸層、電子傳輸層中的至少一層。

5.如權利要求1所述的QLED，其特征在于，所述氧化石墨烯層與所述量子點發光層之間還包括空穴傳輸層，所述量子點發光層與所述氧化石墨烯衍生物層之間還包括電子傳輸層。

6.一種QLED的制備方法，包括以下步驟：

提供基板，在所述基板上沉積陽極，在所述陽極上沉積氧化石墨烯水溶液，形成氧化石墨烯層；

在所述氧化石墨烯層上沉積量子點發光層，在所述量子點發光層上沉積氧化石墨烯衍生物，形成氧化石墨烯衍生物層，所述氧化石墨烯衍生物包括GO-Cs、GO-Rb中的至少一種；

在所述氧化石墨烯衍生物層上沉積陰極。

7.如權利要求6所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述氧化石墨烯衍生物的制備方法為：

提供氧化石墨烯水溶液，在所述氧化石墨烯水溶液中加入Cs₂CO₃和/或Rb₂CO₃進行加熱處理，得到氧化石墨烯中羧基質子被Cs和/或Rb取代的氧化石墨烯衍生物GO-Cs和/或GO-Rb。

8.如權利要求7所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述加熱處理的溫度為100-400℃，加熱時間為0.5-3h。

9.如權利要求6-8任一所述的QLED的制備方法，其特征在于，還包括制備電子傳輸層、空穴傳輸層中的至少一層。