[發(fā)明專利]一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤(rùn)濕性能的低鎘銀釬料

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611158520.0
• 申請(qǐng)日: 2016-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN106624427B
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛鵬;駱靜宜;劉安琪;駱華明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 金華市金鐘焊接材料有限公司
• 主分類號(hào): B23K35/24
• 分類號(hào): B23K35/24
• 代理公司: 33100 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司
• 代理人: 吳佩

1.一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤(rùn)濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于該低鎘銀釬料的各組分的質(zhì)量百分比為：24.0～26.0wt.％的Ag，30.0～41.0wt.％的Cu，0.05～0.13wt.％的Cd，0.001～0.005wt.％的In，0.001～0.005wt.％的Ga，0.001～0.005wt.％的Sn，余量為Zn。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤(rùn)濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分Ag為純度為99.99％的銀板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤(rùn)濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分Cu為電解銅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤(rùn)濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分Cd為鎘錠。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤(rùn)濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分In為金屬銦。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤(rùn)濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分Ga為金屬鎵。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤(rùn)濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分Sn為金屬錫。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤(rùn)濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分Zn為鋅錠。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤(rùn)濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于制備該低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤(rùn)濕性能的低鎘銀釬料是：按該低鎘銀釬料的各組分的質(zhì)量百分比加入中頻冶煉爐坩堝內(nèi)，采用中頻冶煉工藝，通過冶煉、澆鑄、擠壓、拉拔，即得到所需要的低鎘銀釬料絲材。