[發(fā)明專利]含氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積涂層

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611157808.6
• 申請日: 2016-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN107043923A
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·袁;J·B·馬特澤拉;D·A·史密斯
• 申請（專利權(quán)）人: 西爾科特克公司
• 主分類號(hào): C23C16/34
• 分類號(hào): C23C16/34;C23C16/455;C23C16/30
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002
• 代理人: 左路

1.一種方法，包括：

在腔室內(nèi)的表面上制備含氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積涂層；

其中，在所述表面上制備含氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積涂層的過程中，流入和流出所述腔室是受限的或暫停的。

2.權(quán)利要求1的方法，其中制備過程包括將三甲硅烷基胺引入所述腔室中。

3.權(quán)利要求2的方法，其中三甲硅烷基胺的引入包括：當(dāng)所述腔室處于第一壓力時(shí)，打開與包含所述三甲硅烷基胺的容器連接的流量控制裝置，然后當(dāng)所述腔室內(nèi)的壓力處于第二壓力時(shí)，閉合流量控制裝置，第一壓力與第二壓力不同。

4.權(quán)利要求2的方法，其中制備過程還包括在引入三甲硅烷基胺的同時(shí)，將氨引入所述腔室中。

5.權(quán)利要求2的方法，其中制備過程還包括在引入三甲硅烷基胺之前，將氨引入所述腔室中。

6.權(quán)利要求2的方法，其中制備過程還包括在引入三甲硅烷基胺之后，將氨引入所述腔室中。

7.權(quán)利要求2的方法，其中引入過程包括：當(dāng)所述腔室處于第一壓力時(shí)，打開與包含所述胺的容器連接的流量控制裝置，然后當(dāng)所述腔室內(nèi)的壓力處于第二壓力時(shí)，閉合流量控制裝置，第一壓力與第二壓力不同。

8.權(quán)利要求1的方法，其中制備過程在至少325℃的溫度下進(jìn)行。

9.權(quán)利要求1的方法，其中制備過程包括氧化，所述氧化在至少300℃的溫度下進(jìn)行。

10.權(quán)利要求1的方法，其中所述含氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積涂層是純的或基本上純的氮化硅。

11.權(quán)利要求1的方法，其中所述含氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積涂層包括氧氮化硅。

12.權(quán)利要求1的方法，其中所述含氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積涂層是官能化的。

13.權(quán)利要求1的方法，其還包括在所述含氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積涂層上制備額外的含氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積涂層。

14.權(quán)利要求13的方法，其中所述額外的含氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積涂層具有第一厚度且所述含氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積涂層具有第二厚度，第一厚度和第二厚度不同。

15.權(quán)利要求1的方法，其中所述表面是金屬的或金屬性的。

16.權(quán)利要求1的方法，其中所述表面至少具有被遮擋而無法看見的隱蔽部分。

17.通過權(quán)利要求1的方法制備的表面。

18.一種表面，其包含含氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積涂層，其中所述表面至少具有被遮擋而無法看見的隱蔽部分。

19.一種制品，包含：

在腔室內(nèi)的表面上的含氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積涂層；

其中所述表面至少具有被遮擋而無法看見的隱蔽部分。