[發(fā)明專利]低熔點(diǎn)低鎘銀釬料

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611156602.1
• 申請(qǐng)日: 2016-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN106736003B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧立勇;袁維;顧文華;顧建昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常熟市華銀焊料有限公司
• 主分類號(hào): B23K35/24
• 分類號(hào): B23K35/24
• 代理公司: 常熟市常新專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32113
• 代理人: 朱偉軍

1.一種低熔點(diǎn)低鎘銀釬料，其特征在于其化學(xué)組成按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)配比為：24-26%的Ag，30-41%的Cu，0.05-0.13%的Cd，0.001-0.005%的In，0.001-0.005%的 Ga，余為Zn。

2.一種低熔點(diǎn)低鎘銀釬料，其特征在于其化學(xué)組成按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)配比為：24%的Ag，41%的Cu，0.05%的Cd，0.001%的In，0.005%的 Ga，余為Zn。

3.一種低熔點(diǎn)低鎘銀釬料，其特征在于其化學(xué)組成按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)配比為： 26%的Ag，30%的Cu， 0.13%的Cd，0.001%的In，0.001%的 Ga，余為Zn。

4.一種低熔點(diǎn)低鎘銀釬料，其特征在于其化學(xué)組成按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)配比為：25%的Ag，36%的Cu，0.1%的Cd，0.005%的In， 0.005%的 Ga，余為Zn。

5.一種低熔點(diǎn)低鎘銀釬料，其特征在于其化學(xué)組成按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)配比為：25.2%的Ag，40.3%的Cu，0.12%的Cd，0.002%的In，0.003%的 Ga，余為Zn。

6.一種低熔點(diǎn)低鎘銀釬料，其特征在于其化學(xué)組成按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)配比為：24.3%的Ag，39.6%的Cu，0.11%的Cd，0.004%的In，0.002%的 Ga，余為Zn。