[發明專利]半導體封裝件

有效

• 申請號: 201611156539.1
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN107221527B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 郭豐維;廖文翔;周淳樸;陳煥能;卓聯洲;沈武
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/58
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體封裝件，包括：

第一半導體器件，包括第一通孔層、形成在所述第一通孔層上方的第一金屬層、形成在所述第一金屬層上方的第二通孔層以及形成在所述第二通孔層上方的第二金屬層；

第二半導體器件，垂直設置在所述第一半導體器件下方；以及

中間扇出層，設置在所述第一半導體器件和所述第二半導體器件之間，其中，所述中間扇出層包括絕緣材料、有源器件以及在第一方向上至少部分延續的第一接地屏蔽層，其中，所述有源器件設置為鄰近于所述第一半導體器件的所述第一金屬層，所述第一接地屏蔽層從所述有源器件的第一側延伸至所述有源器件的第二側；以及

接地屏蔽傳輸路徑，將所述第一半導體器件連接至所述第二半導體器件，其中，所述接地屏蔽傳輸路徑延伸穿過所述中間扇出層，所述接地屏蔽傳輸路徑包括：

至少一個器件間信號路徑，電連接所述第一半導體器件和所述第二半導體器件，所述至少一個器件間信號路徑包含導電材料，其中，所述至少一個器件間信號路徑包括：

在所述第一方向上、從所述第一半導體器件至所述第二半導體器件延伸穿過所述中間扇出層的第一部分；

包括設置在所述第一半導體器件的所述第一金屬層內的第二部分；和

包括設置在所述第一半導體器件的所述第二金屬層內的第三部分；

第一絕緣層，周向設置在所述至少一個器件間信號路徑的所述第一部分的外圍，其中，所述第一絕緣層包含電絕緣材料；和

第二接地屏蔽層，包括：

周向設置在所述第一絕緣層外圍且位于所述至少一個器件間信號路徑的所述第一部分的第一端和第二端之間的第一部分；

設置在所述第一半導體器件的所述第一通孔層的第二部分；

設置在所述第一半導體器件的所述第二通孔層的第三部分，

其中，所述第二接地屏蔽層的第一部分和所述第二接地屏蔽層的第二部分將所述至少一個器件間信號路徑的第一部分與所述至少一個器件間信號路徑的第二部分隔離，除了在通孔將所述至少一個器件間信號路徑的第二部分連接至所述至少一個器件間信號路徑的第一部分的位置外，并且所述第二接地屏蔽層的第三部分將所述至少一個器件間信號路徑的第二部分與所述至少一個器件間信號路徑的第三部分隔離，除了在通孔將所述至少一個器件間信號路徑的第二部分連接至所述至少一個器件間信號路徑的第三部分的位置外，并且其中，所述第二接地屏蔽層被配置為防止在所述至少一個器件間信號路徑的第二部分和所述至少一個器件間信號路徑的第三部分之間傳輸輻射信號。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第二接地屏蔽層的第一部分包括圓柱形，并且周向設置在所述至少一個器件間信號路徑的第一部分的外表面周圍。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，進一步包括第三接地屏蔽層，設置在所述第二半導體器件內。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其中，所述第三接地屏蔽層設置在所述第二半導體器件的各導電層之間。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其中，所述第三接地屏蔽層設置在所述第二半導體器件的導電層之間的多個通孔層中。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述至少一個器件間信號路徑包括差分信號路徑，所述差分信號路徑包括第一器件間傳輸路徑和第二器件間傳輸路徑。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝件，其中，所述第二接地屏蔽層包括設置在所述第一器件間傳輸路徑周向外圍的第一器件間接地屏蔽層，以及設置在所述第二器件間傳輸路徑周向外圍的第二器件間接地屏蔽層。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述至少一個器件間信號路徑包括四分信號路徑，所述四分信號路徑包括第一器件間傳輸路徑、第二器件間傳輸路徑、第三器件間傳輸路徑和第四器件間傳輸路徑。