[發明專利]一種等離激元有源波導開關器件在審
| 申請號： | 201611156488.2 | 申請日： | 2016-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN106785246A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 鐘旭 | 申請（專利權）人： | 上海電機學院 |
| 主分類號： | H01P1/10 | 分類號： | H01P1/10 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司31001 | 代理人： | 翁若瑩,柏子雵 |
| 地址： | 201100 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 離激元 有源 波導 開關 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種等離激元有源波導開關器件，其特征在于，包括在GaAs襯底上生長的數層垂直排列的InAs量子點層，每個InAs量子點層上覆蓋有In0.17Ga0.83As量子阱層，相鄰兩個InAs量子點層由一層p-GaAs空間隔離層隔離，InAs量子點層及p-GaAs空間隔離層構成有源增益介質，在有源增益介質兩端分別生長有n型AlGaAs摻雜層及p型AlGaAs摻雜層，采用化學刻蝕和金屬鍵和技術，在n型AlGaAs摻雜層和p型AlGaAs摻雜層上各制作有5納米厚的可用作電極的雙面金屬。
2.如權利要求1所述的一種等離激元有源波導開關器件，其特征在于，所述In0.17Ga0.83As量子阱層為5納米厚。
3.如權利要求1所述的一種等離激元有源波導開關器件，其特征在于，所述n型AlGaAs摻雜層為10納米厚；所述p型AlGaAs摻雜層為10納米厚。
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