[發明專利]一種制備磁性隧道結陣列的方法

有效

• 申請號: 201611156437.X
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN108232002B
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 張云森
• 申請（專利權）人: 上海磁宇信息科技有限公司
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/12
• 代理公司: 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287
• 代理人: 于曉菁

1.一種制備磁性隧道結陣列的方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成磁性隧道結多層膜和掩膜層，其中磁性隧道結多層膜是由參考層，勢壘層和記憶層的依次向上疊加的Bottom Pinned結構，參考層具有磁極化不變性，記憶層具有可變磁極化；

圖案化所述掩膜層，采用一次光刻一次刻蝕的方法，采用RIE工藝除去殘留的聚合物，以使圖案轉移到磁性隧道結的頂部；

采用反應離子束刻蝕，所述反應離子束刻蝕的離子源包括帶有羰基或羥基官能團的化合物氣體，刻蝕過程中所述反應離子束的入射方向角保持固定或在多個角度值間變化，離子束的方向角多次在2°、4°、6°、8°均勻分布的角度改變，整個反應離子束刻蝕通過多次刻蝕完成，在反應離子束刻蝕過程中和/或在反應離子束刻蝕完成之后，選用小角度的離子束刻蝕工藝對側壁進行修剪，修剪過程分為多次完成。

2.如權利要求1所述的制備磁性隧道結陣列的方法，其特征在于，所述帶有羰基或羥基官能團的氣體為HCOOH、CH₃OH、CH₃COOH、C₂H₅OH、CO/NH₃中的一種或幾種。

3.如權利要求1所述的制備磁性隧道結陣列的方法，其特征在于，所述離子源還包括惰性氣體。

4.如權利要求1所述的制備磁性隧道結陣列的方法，其特征在于，所述反應離子刻蝕過程中，晶圓控制臺轉速為0-60rpm。

5.如權利要求1所述的制備磁性隧道結陣列的方法，其特征在于，進行所述修剪的所述離子束刻蝕的離子源氣體包括He、Ne、Ar、Kr、Xe、H₂、O₂、N₂、SF₆、NF₃、CF₄、CHF₃、NH₃、CO₂、CO、HCOOH、CH₃OH、CH₃COOH、C₂H₅OH、CO/NH₃中一種或幾種。

6.如權利要求1所述的制備磁性隧道結陣列的方法，其特征在于，所述反應離子束刻蝕的離子源的總流量為10-200sccm，產生并維持等離子的射頻電源功率為100-3000watt，離子束加速電壓為50-1000V。