[發明專利]功率二極管在審
| 申請號： | 201611155764.3 | 申請日： | 2016-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN106653869A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 義夫;華國安 | 申請（專利權）人： | 麗晶美能（北京）電子技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司11240 | 代理人： | 趙囡囡,吳貴明 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率 二極管 | ||
1.一種功率二極管，其特征在于，所述功率二極管包括：
N型基體(10)；
至少兩個P型摻雜區(20)，間隔設置在所述N型基體(10)中；
N型摻雜區(30)，設置在各所述P型摻雜區(20)的遠離所述N型基體(10)的表面上；以及
金屬層(50)，設置在所述N型摻雜區(30)的遠離所述N型基體(10)的表面上，其中，所述金屬層(50)與各所述P型摻雜區(20)隔離設置。
2.根據權利要求1所述的功率二極管，其特征在于，所述功率二極管包括至少兩個所述N型摻雜區(30)，各所述N型摻雜區(30)設置在所述N型基體(10)中且與所述P型摻雜區(20)一一對應設置，且各所述N型摻雜區(30)的遠離各所述P型摻雜區(20)的表面與所述N型基體(10)的平整表面平齊。
3.根據權利要求2所述的功率二極管，其特征在于，第一表面為與所述N型基體(10)的厚度方向垂直的表面，各所述N型摻雜區(30)在所述第一表面上的投影位于對應的所述P型摻雜區(20)在所述第一表面上的投影的內部，且所述功率二極管還包括：
至少四個介質區(40)，各所述介質區(40)覆蓋各所述P型摻雜區(20)的靠近金屬層的表面設置且用于隔離各所述P型摻雜區(20)與所述金屬層(50)。
4.根據權利要求1所述的功率二極管，其特征在于，所述N型基體(10)包括：
N+襯底層(11)；以及
N-外延層(12)，設置在所述N+襯底層(11)的表面上，且所述P型摻雜區(20)設置在所述N-外延層(12)中且遠離所述N+襯底層(11)。
5.根據權利要求1所述的功率二極管，其特征在于，所述P型摻雜區(20)為P+摻雜區。
6.根據權利要求1所述的功率二極管，其特征在于，所述N型摻雜區(30)為N+摻雜區。
7.根據權利要求3所述的功率二極管，其特征在于，所述介質區(40)的材料包括二氧化硅。
8.根據權利要求1所述的功率二極管，其特征在于，所述金屬層(50)的材料包括為Al-Cu和/或Al-Si-Cu。
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