[發明專利]應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭在審
| 申請號: | 201611154916.8 | 申請日: | 2016-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN107313026A | 公開(公告)日: | 2017-11-03 |
| 發明(設計)人: | 林伯融;陳哲霖;蔡長達;鐘步青 | 申請(專利權)人: | 漢民科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司11019 | 代理人: | 壽寧,張華輝 |
| 地址: | 中國臺灣臺北巿大*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應用于 化學 沉積 裝置 氣體 分流 噴頭 | ||
1.一種應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭,包含:
氣體分流層,用以分流不同的氣體而將其由同一水平面側向噴出,該氣體分流層包含:
圓盤狀主體,其中心位置具有圓形開孔,用以容置布氣裝置以及供其氣體通行;
多條第一氣體通道,由該圓盤狀主體的中心位置向該圓盤狀主體的周邊延伸而呈放射狀排列,用以將第一氣體由該圓盤狀主體的中心位置向該圓盤狀主體的周邊輸送,而橫向噴出;
多條第二氣體通道,由該圓盤狀主體的中心位置向該圓盤狀主體的周邊延伸而呈放射狀排列,用以將第二氣體由該圓盤狀主體的中心位置向該圓盤狀主體的周邊輸送,而橫向噴出;以及
多條第三氣體通道,由該圓盤狀主體的中心位置向該圓盤狀主體的周邊延伸而呈放射狀排列,用以將第三氣體由該圓盤狀主體的中心位置向該圓盤狀主體的周邊輸送,而橫向噴出;
其中,所述第一氣體通道、所述第二氣體通道、以及所述第三氣體通道皆設置于該圓盤狀主體內的同一水平面上且成對稱分布,借此,不同的氣體能夠經由不同氣體通道與同一水平面上橫向噴出。
2.根據權利要求1所述的應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭,其中該第一氣體為Ⅲ族氣體,該第二氣體與該第三氣體皆為Ⅴ族氣體,并以氫氣(H2)或氮氣(N2)做為運載氣體(carrier gas)。
3.根據權利要求1所述的應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭,其中所述第一氣體通道、所述第二氣體通道、以及所述第三氣體通道以每相鄰兩個第一氣體通道間至少夾有第二氣體通道或第三氣體通道的方式,而排列于該氣體分流層中。
4.根據權利要求3所述的應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭,其中所述第一氣體通道、所述第二氣體通道、以及所述第三氣體通道以第一氣體通道、第二氣體通道、第一氣體通道、第三氣體通道此排列順序為一個周期,而循環排列于該氣體分流層中。
5.根據權利要求1所述的應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭,其中所述第一氣體通道、所述第二氣體通道、以及所述第三氣體通道以每相鄰兩個第一氣體通道間夾有至少一個第二氣體通道與至少一個第三氣體通道的方式,而循環排列于該氣體分流層中。
6.根據權利要求5所述的應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭,其中每相鄰兩個第一氣體通道間的第二氣體通道與該第三氣體通道是以彼此輪替的方式排列。
7.根據權利要求5所述的應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭,其中每相鄰兩個第一氣體通道間的第二氣體通道與該第三氣體通道是以每兩個相鄰的第二氣體通道之間夾有至少一個第三氣體通道的方式而排列于其中。
8.根據權利要求5所述的應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭,其中每相鄰兩個第一氣體通道間的第二氣體通道與該第三氣體通道是以每兩個相鄰的第三氣體通道之間夾有至少一個第二氣體通道第一氣體通道的方式而排列于其中。
9.根據權利要求1所述的應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭更包含多個氣體通道隔塊,用以分隔該氣體分流層中的氣體通道,以控制各個不同氣體的混合反應時間。
10.根據權利要求9所述的應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭,其中每一該第一氣體通道、每一該第二氣體通道、以及每一該第三氣體通道皆被夾于兩個相鄰的氣體通道隔塊之間。
11.根據權利要求9所述的應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭,其中以兩個相鄰的氣體通道隔塊之間夾有至少一個第一氣體通道與至少個一第二氣體通道做為第一氣體通道組合,而以兩個相鄰的氣體通道隔塊之間夾有至少一個第一氣體通道與至少一個第三氣體通道做為第二氣體通道組合,而以第一氣體通道組合與第二氣體通道組合交替排列的方式排列于該氣體分流層中。
12.根據權利要求11所述的應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭,其中第一氣體通道組合中的第一氣體通道與第二氣體通道以兩個相鄰第一氣體通道之間夾有至少一個第二氣體通道的方式排列。
13.根據權利要求11所述的應用于化學氣相沉積裝置的氣體分流噴頭,其中第一氣體通道組合中的第一氣體通道與第二氣體通道以兩個相鄰第二氣體通道之間夾有至少一個第一氣體通道的方式排列。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于漢民科技股份有限公司,未經漢民科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611154916.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





