[發(fā)明專(zhuān)利]存儲(chǔ)器單元及存儲(chǔ)器陣列

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611154298.7
• 申請(qǐng)日: 2016-12-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107785053B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳孟益;翁偉哲;陳信銘
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C17/16
• 分類(lèi)號(hào): G11C17/16;G11C17/18;H01L27/112
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種存儲(chǔ)器單元，其特征在于，包括：

第一選擇晶體管，具有第一端耦接于位線(xiàn)，第二端，及柵極端耦接于字符線(xiàn)；

第一接續(xù)柵極晶體管，具有第一端耦接于所述第一選擇晶體管的所述第二端，第二端，及柵極端耦接于接續(xù)控制線(xiàn)；

反熔絲晶體管，具有第一端耦接于所述第一接續(xù)柵極晶體管的所述第二端，第二端，及柵極端耦接于反熔絲控制線(xiàn)；

第二接續(xù)柵極晶體管，具有第一端耦接于所述反熔絲晶體管的所述第二端，第二端，及柵極端耦接于所述接續(xù)控制線(xiàn)；及

第二選擇晶體管，具有第一端耦接于所述第二接續(xù)柵極晶體管的所述第二端，第二端耦接于所述位線(xiàn)，及柵極端耦接于所述字符線(xiàn)。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元，其特征在于：

所述第一選擇晶體管另具有第一源極/漏極延伸區(qū)耦接于所述第一選擇晶體管的所述第一端，及第二源極/漏極延伸區(qū)耦接于所述第一選擇晶體管的所述第二端，所述第一源極/漏極延伸區(qū)及所述第二源極/漏極延伸區(qū)都設(shè)置在所述第一選擇晶體管的所述柵極端的下方；

所述第一接續(xù)柵極晶體管另具有第一源極/漏極延伸區(qū)設(shè)置在所述第一接續(xù)柵極晶體管的所述柵極端的下方，且耦接于所述第一接續(xù)柵極晶體管的所述第一端；

所述第二接續(xù)柵極晶體管另具有第一源極/漏極延伸區(qū)設(shè)置在所述第二接續(xù)柵極晶體管的所述柵極端的下方，且耦接于所述第二接續(xù)柵極晶體管的所述第二端；及

所述第二選擇晶體管另具有第一源極/漏極延伸區(qū)耦接于所述第二選擇晶體管的所述第一端，及第二源極/漏極延伸區(qū)耦接于所述第二選擇晶體管的所述第二端，所述第一源極/漏極延伸區(qū)及所述第二源極/漏極延伸區(qū)都設(shè)置在所述第二選擇晶體管的所述柵極端的下方。

3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器單元，其特征在于所述反熔絲晶體管是金氧半電容。

4.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器單元，其特征在于：

所述第一接續(xù)柵極晶體管另具有第二源極/漏極延伸區(qū)設(shè)置在所述第一接續(xù)柵極晶體管的所述柵極端的下方，且耦接于所述第一接續(xù)柵極晶體管的所述第二端；

所述反熔絲晶體管另具有第一源極/漏極延伸區(qū)耦接于所述反熔絲晶體管的所述第一端，及第二源極/漏極延伸區(qū)耦接于所述反熔絲晶體管的所述第二端，所述第一源極/漏極延伸區(qū)及所述第二源極/漏極延伸區(qū)都設(shè)置在所述反熔絲晶體管的所述柵極端下方；及

所述第二接續(xù)柵極晶體管另具有第二源極/漏極延伸區(qū)設(shè)置在所述第二接續(xù)柵極晶體管的所述柵極端的下方，且耦接于所述第二接續(xù)柵極晶體管的所述第一端。

5.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器單元，其特征在于所述反熔絲晶體管是金氧半電容。

6.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器單元，其特征在于：

所述第一接續(xù)柵極晶體管另具有變形源極/漏極延伸區(qū)設(shè)置在所述第一接續(xù)柵極晶體管的所述柵極端的下方，且耦接于所述第一接續(xù)柵極晶體管的所述第二端；

所述反熔絲晶體管另具有變形源極/漏極延伸區(qū)設(shè)置在所述反熔絲晶體管的所述柵極端下方，且耦接于所述反熔絲晶體管的所述第一端及所述第二端；及

所述第二接續(xù)柵極晶體管另具有變形源極/漏極延伸區(qū)設(shè)置在所述第二接續(xù)柵極晶體管的所述柵極端的下方，且耦接于所述第二接續(xù)柵極晶體管的所述第一端。

7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器單元，其特征在于所述反熔絲晶體管是反熔絲變?nèi)荨?/p>

8.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器單元，其特征在于：

所述第一接續(xù)柵極晶體管的所述第二端、所述反熔絲晶體管的所述第一端及所述第二端，及所述第二接續(xù)柵極晶體管的所述第一端都設(shè)置在井區(qū)。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器單元，其特征在于：

所述第一選擇晶體管、所述第一接續(xù)柵極晶體管、所述第二選擇晶體管及所述第二接續(xù)柵極晶體管都是利用N型金氧半場(chǎng)效晶體管形成；及

所述井區(qū)是N型井。