[發明專利]一種鈣鈦礦薄膜及其制備方法與鈣鈦礦太陽能電池

有效

• 申請號: 201611154129.3
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN106784322B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 孟鴻;繆景生;胡釗
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究生院
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/48
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

步驟A、首先將鈣鈦礦前驅體溶液旋涂到襯底上；其中，所述鈣鈦礦前驅體溶液選用的溶劑為DMF、DMSO、中的一種或多種；

步驟B、然后旋轉旋涂有鈣鈦礦前驅體溶液的襯底，在鈣鈦礦前驅體溶液未完全揮發時，停止旋轉，放置一定的時間；

步驟C、重新旋轉旋涂有鈣鈦礦前驅體溶液的襯底，然后再滴入反型溶劑，在80~120℃下退火5~15分鐘，制成鈣鈦礦薄膜；

所述步驟B中，放置的時間為10~180s；

所述步驟B中，在鈣鈦礦前驅體溶液中溶劑尚未完全揮發時，停止旋涂儀的旋轉，使其靜止一定的時間，延長鈣鈦礦薄膜的成膜時間來增加鈣鈦礦薄膜的成膜質量。

2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟A中，所述襯底為透明電極，所述透明電極上形成有一致密層。

3.根據權利要求2所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述致密層為TiO₂、SnO₂、ZnO、PEDOT:PSS、NiO中的一種。

4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟B中，放置的時間為10~50s。

5.根據權利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟C中，所述反型溶劑為甲苯、氯苯、氯仿、乙醚中的一種或多種。

6.根據權利要求2所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述透明電極為ITO導電玻璃。

7.根據權利要求2所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述致密層的厚度為30~50nm。

8.一種鈣鈦礦薄膜，其特征在于，所述鈣鈦礦薄膜采用如權利要求1~7任一所述的鈣鈦礦薄膜的制備方法制備而成。

9.一種鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述鈣鈦礦太陽能電池包括如權利要求8所述的鈣鈦礦薄膜。