[發明專利]一種啁啾數字遞變結構的低缺陷異變緩沖層有效
| 申請號： | 201611153882.0 | 申請日： | 2016-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN106601839B | 公開（公告）日： | 2018-03-09 |
| 發明（設計）人： | 馬英杰;顧溢;張永剛 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所31233 | 代理人： | 黃志達,魏峯 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 啁啾 數字 遞變 結構 缺陷 緩沖 | ||
【權利要求書】：
1.一種啁啾數字遞變結構的低缺陷異變緩沖層，其特征在于：所述緩沖層包含N個層厚相同的周期性過渡層，每個周期內均包含A、B兩層材料，且A、B材料的厚度比從N:1依次遞變到1:N；其中，N≥2，A材料的晶格常數為a，B材料的晶格常數為b，a與b不同。
2.根據權利要求1所述的一種啁啾數字遞變結構的低缺陷異變緩沖層，其特征在于：所述A、B材料具有相同的空間晶格點陣結構。
3.根據權利要求1所述的一種啁啾數字遞變結構的低缺陷異變緩沖層，其特征在于：所述A、B材料具有相同或者不同的元素種類數目。
4.根據權利要求1所述的一種啁啾數字遞變結構的低缺陷異變緩沖層，其特征在于：所述A、B材料的厚度比的變化方式具體為：N:1，(N-1):2，(N-2):3，(N-3):4，……，4:(N-3)，3:(N-2)，2:(N-1)，1:N。
5.根據權利要求1所述的一種啁啾數字遞變結構的低缺陷異變緩沖層，其特征在于：所述緩沖層的總厚度為T nm，T>0。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
