[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201611152920.0
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN108231757B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 劉劍;司徒道海
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

晶圓，在所述晶圓上間隔設置有多個芯片，其中，每個所述芯片均包括間隔平行設置的多個條狀溝槽，相鄰所述芯片中的所述條狀溝槽彼此相互垂直，在每個所述芯片的每個所述條狀溝槽中均形成有柵極結構。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述芯片的俯視形狀為正方形。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，在所述晶圓上設置有中心芯片，在所述中心芯片的四條邊的外側設置有若干周邊芯片，所述周邊芯片中的所述條狀溝槽與所述中心芯片中的所述條狀溝槽彼此相互垂直。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述芯片為溝槽型IGBT芯片。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多個芯片成陣列狀排布在所述晶圓上。

6.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供晶圓；

在所述晶圓上形成間隔設置的多個芯片，其中，每個所述芯片均包括間隔平行設置的多個條狀溝槽，相鄰所述芯片中的所述條狀溝槽彼此相互垂直，在每個所述條狀溝槽中形成柵極結構。

7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成每個所述芯片的所述條狀溝槽時所使用的光罩下線制版時，將任一所述芯片四周緊鄰的芯片旋轉90度或270度，以使相鄰芯片中的所述條狀溝槽彼此相互垂直。

8.如權利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述芯片為溝槽型IGBT芯片。

9.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述芯片的俯視形狀為正方形。