[發明專利]用于測定薄層的導熱性的測量芯片和方法

有效

• 申請號: 201611151226.7
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN107037076B
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 林塞斯·文森特;弗克雷·弗里德曼
• 申請（專利權）人: 林賽斯測量儀器有限公司
• 主分類號: G01N25/18
• 分類號: G01N25/18;G01N27/18
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 郭婧婧;程玲

1.一種用于測定薄層的導熱性的測量芯片，包括具有凹槽(15)的襯底(14)、以覆蓋所述凹槽(15)的方式被施覆至所述襯底(14)的由電絕緣材料構成的膜片(16)和被施覆至所述膜片(16)的加熱絲，所述加熱絲與所述凹槽(15)疊加，其特征在于，所述加熱絲的至少一端位于所述凹槽的區域中，在所述膜片(16)上布置有部分覆蓋所述凹槽(15)的第一測量場限制件，所述第一測量場限制件包括兩個與所述加熱絲(17)電絕緣的區段(18)，所述第一測量場限制件包括兩個與所述加熱絲(17)電連接的接觸區域(19)。

2.根據權利要求1所述的測量芯片，其特征在于，所述加熱絲(17)在所述與所述加熱絲(17)電絕緣的區段(18)之間延伸。

3.根據權利要求1所述的測量芯片，其特征在于，所述加熱絲(17)與所述第一測量場限制件布置在所述膜片(16)的一個面上。

4.根據權利要求1所述的測量芯片，其特征在于，通過所述第一測量場限制件的邊緣的至少70％，形成所述測量場的處于所述凹槽(15)內的周界線。

5.根據權利要求1所述的測量芯片，其特征在于，所述第一測量場限制件由金和/或鉑構成。

6.根據權利要求1所述的測量芯片，其特征在于，絕緣層(22)以遮蓋的方式被施覆至所述加熱絲(17)和所述第一測量場限制件。

7.根據權利要求1所述的測量芯片，其特征在于具有第一測量場限制件的第一測量場和具有第二測量場限制件(28)的第二測量場，其中所述第一測量場的面積小于所述第二測量場的面積。

8.根據權利要求7所述的測量芯片，其特征在于，與所述第一測量場疊加的加熱絲(17)和與所述第二測量場疊加的加熱絲(27)具有相同長度。

9.根據權利要求1所述的測量芯片，其特征在于測量裝置，所述測量裝置適于測定在所述凹槽(15)的區域中被施覆至所述膜片(16)的樣品層(20)的導熱性。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的測量芯片，其特征在于測量裝置，其適于測定被施覆在第三測量場中的樣品層(20)的導電性(40)和/或塞貝克系數(41)。

11.一種測定薄層的導熱性的方法，其中通過被施覆在膜片(16)上的加熱絲(17)輸入加熱功率(35)并測量所述加熱絲(17)的升溫(36)，其中所述加熱絲(17)在測量場限制件內布置在所述膜片(16)上，所述加熱絲的至少一端位于凹槽的區域中，所述測量場限制件以部分覆蓋承載所述膜片(16)的襯底的凹槽(15)的方式布置，所述測量場限制件包括兩個與所述加熱絲(17)電絕緣的區段(18)，所述測量場限制件包括兩個與所述加熱絲(17)電連接的接觸區域(19)。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，將樣品層(20)施覆至所述膜片(16)。

13.根據權利要求11或12中任一項所述的方法，其特征在于，將遮蓋層(30)施覆至樣品層(20)，其中所述遮蓋層(30)的厚度大于所述膜片(16)的厚度至少10倍。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述遮蓋層(30)由導熱性較高的材料構成。