[發明專利]光電轉換元件及其制造方法以及光電轉換裝置有效
| 申請號： | 201611150933.4 | 申請日： | 2016-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN107039474B | 公開（公告）日： | 2022-01-14 |
| 發明（設計）人： | 工藤學 | 申請（專利權）人： | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 田喜慶;吳孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光電 轉換 元件 及其 制造 方法 以及 裝置 | ||
1.一種光電轉換元件的制造方法，所述光電轉換元件具備半導體層，其特征在于，
所述光電轉換元件的制造方法包括：
形成電極的工序；
形成覆蓋所述電極的絕緣層的工序；
在所述絕緣層中俯視下與所述電極重疊的區域形成開口的工序；
在所述絕緣層的表面形成半導體材料的覆蓋層的工序；以及
通過所述覆蓋層的圖案化來形成所述半導體層的工序，
在形成所述半導體層的工序中，以所述半導體層的外周緣位于俯視下比所述開口的內周緣靠外側處的方式，形成所述半導體層，
在形成所述電極的工序中，將第一導電材料的第一層和光反射性比所述第一導電材料高的第二導電材料的第二層以所述第一層位于表面并且所述第二層從作為在該表面的所述第一層形成的開口的電極開口露出的方式層疊多層，形成所述電極，
在所述絕緣層形成開口的工序中，以俯視下與所述電極開口重疊的方式在所述絕緣層形成開口。
2.根據權利要求1所述的光電轉換元件的制造方法，其特征在于，
在所述絕緣層形成開口的工序中，以該開口的內周緣位于俯視下比所述電極開口的內周緣靠內側處的方式，在所述絕緣層形成開口。
3.根據權利要求1至2中任一項所述的光電轉換元件的制造方法，其特征在于，
所述第二導電材料包含鋁。
4.一種光電轉換元件，其特征在于，具備：
將第一導電材料的第一層和光反射性比所述第一導電材料高的第二導電材料的第二層以所述第一層位于表面并且所述第二層從作為在該表面的所述第一層形成的開口的電極開口露出的方式層疊多層形成的電極；
絕緣層，覆蓋所述電極并且形成有俯視下與所述電極開口重疊的開口；以及
半導體層，俯視下與所述開口重疊，
所述半導體層的外周緣位于俯視下比所述開口的內周緣靠外側處。
5.一種光電轉換裝置，其特征在于，具備權利要求4所述的光電轉換元件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
