[發(fā)明專利]具有晶界多層結(jié)構(gòu)的高性能燒結(jié)Nd-Fe-B磁體的制備方法及其制備的產(chǎn)品

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611150742.8
• 申請(qǐng)日: 2016-12-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106653268A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張培;胡梅娟;吳敏;張雷;張鵬國(guó)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)工程物理研究院材料研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01F1/057
• 分類(lèi)號(hào): H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;B22F1/00;B22F3/02;B22F3/10;B22F3/24
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 沈強(qiáng)

1.具有晶界多層結(jié)構(gòu)的高性能燒結(jié)Nd-Fe-B磁體的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）制備中間體

將低稀土含量的釹鐵硼主相粉與低熔點(diǎn)重稀土晶界重構(gòu)合金粉R1xM1y混合后，得到第一混合物，將第一混合物加熱至低熔點(diǎn)重稀土晶界重構(gòu)合金粉R1xM1y熔點(diǎn)以上，且加熱溫度低于1100℃，使釹鐵硼主相晶粒邊緣形成一層高磁晶各向異性的重稀土薄殼層，得到中間體；

（2）制備產(chǎn)品

將步驟（1）制備的中間體破碎后，與低熔點(diǎn)高電位晶界重構(gòu)合金粉R2mM2n混合，得到第二混合物，將第二混合物進(jìn)行磁場(chǎng)取向成型后，依次進(jìn)行燒結(jié)、熱處理，即得產(chǎn)品；

所述低稀土含量的釹鐵硼主相粉中，稀土元素含量小于29 wt.%；

所述低熔點(diǎn)重稀土晶界重構(gòu)合金粉R1xM1y中，R1為鑭系金屬Gd、Tb、Dy、Ho中的一種或多種，M1為O、F、H、Cu、Ni、Fe、Co、Sn、Ti、Nb、Zr中的一種或多種，x、y分別為R1、M1的原子百分?jǐn)?shù)，x的范圍為5~80，x與y的和為100；

所述低熔點(diǎn)高電位晶界重構(gòu)合金粉R2mM2n中，R2為鑭系金屬La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一種或多種，M2為高標(biāo)準(zhǔn)電極電位金屬Cu、Ni、Fe、Co中的一種或多種，m、n分別為R2、M2的原子百分?jǐn)?shù)，m與n的和為100，m的范圍為5~80。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有晶界多層結(jié)構(gòu)的高性能燒結(jié)Nd-Fe-B磁體的制備方法，其特征在于，所述低稀土含量的釹鐵硼主相粉的平均粒度小于5μm，Nd2Fe14B相所占比例大于95%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有晶界多層結(jié)構(gòu)的高性能燒結(jié)Nd-Fe-B磁體的制備方法，其特征在于，所述低熔點(diǎn)重稀土晶界重構(gòu)合金粉R1xM1y的熔點(diǎn)低于900℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有晶界多層結(jié)構(gòu)的高性能燒結(jié)Nd-Fe-B磁體的制備方法，其特征在于，所述低熔點(diǎn)高電位晶界重構(gòu)合金粉R2mM2n的熔點(diǎn)低于900℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有晶界多層結(jié)構(gòu)的高性能燒結(jié)Nd-Fe-B磁體的制備方法，其特征在于，所述低熔點(diǎn)重稀土晶界重構(gòu)合金粉R1xM1y、低熔點(diǎn)高電位晶界重構(gòu)合金粉R2mM2n的粒度為分別0.1-100μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述具有晶界多層結(jié)構(gòu)的高性能燒結(jié)Nd-Fe-B磁體的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，將第二混合物進(jìn)行磁場(chǎng)取向成型后，進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度為950-1100℃，燒結(jié)時(shí)間為2-5h，然后進(jìn)行兩級(jí)熱處理，一級(jí)熱處理溫度為850-950℃，保溫時(shí)間為1-5h，二級(jí)熱處理溫度為300-600℃，保溫時(shí)間為1-5h，即得產(chǎn)品。

7.采用前述權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)所述方法所制備的產(chǎn)品。