[發明專利]包括電壓調節器的集成扇出封裝件及其形成方法

有效

• 申請號: 201611150397.8
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN107180795B
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發明（設計）人: 余振華;張智援;王垂堂;謝政憲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/98
• 分類號: H01L21/98;H01L21/50;H01L25/065;H01L23/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成封裝件的方法，包括：

通過管芯附接膜將電壓調節器管芯粘附至載體上方，所述管芯附接膜位于所述電壓調節器管芯中并且環繞所述電壓調節器管芯的金屬柱；

將所述電壓調節器管芯密封在密封材料中；

平坦化所述密封材料，其中，去除所述電壓調節器管芯的背部以暴露位于所述電壓調節器管芯的半導體襯底中的通孔；

在所述電壓調節器管芯和所述密封材料上方形成第一介電層；

在所述第一介電層中形成第一再分布線，其中，所述第一再分布線的部分電連接至所述通孔并且與所述通孔直接接觸；

用介電材料替代所述管芯附接膜；

形成第二介電層，其中，所述第一介電層和所述第二介電層位于所述電壓調節器管芯的相對兩側上；

在所述第二介電層中形成第二再分布線；以及

將額外的器件管芯接合至所述第二再分布線，并且將所述電壓調節器管芯電連接至所述額外的器件管芯；

其中，將所述通孔與所述電壓調節器管芯中的所有電路電斷開。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述載體上方形成導電柱，其中，所述導電柱被所述密封材料密封，并且所述導電柱將所述第一再分布線電互連至所述第二再分布線。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，替代所述管芯附接膜包括：

蝕刻所述管芯附接膜以在所述密封材料中形成凹槽；

在所述凹槽內填充所述介電材料；以及

實施額外的平坦化以去除所述介電材料的多余部分，直到暴露所述電壓調節器管芯中的金屬柱。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：將所述額外的器件管芯密封在額外的密封材料中。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，當所述電壓調節器管芯粘附至所述載體時，所述管芯附接膜環繞所述電壓調節器管芯的金屬柱，并且所述金屬柱的表面與所述管芯附接膜的朝向所述載體的表面共面。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，用所述介電材料替代所述管芯附接膜包括：

蝕刻所述管芯附接膜以在所述密封材料中形成凹槽；

在所述電壓調節器管芯中從金屬焊盤形成所述金屬柱；

在所述凹槽內填充所述介電材料；以及

實施額外的平坦化以去除所述介電材料的多余部分，直到暴露所述金屬柱。

7.一種形成封裝件的方法，包括：

在載體上方形成基底層；

在所述基底層上方形成導電柱；

將電壓調節器管芯粘附至所述基底層，其中，所述電壓調節器管芯包括管芯附接膜，并且所述管芯附接膜粘附至所述基底層；

將所述電壓調節器管芯和所述導電柱密封在密封材料中；

平坦化所述密封材料，直到暴露出所述電壓調節器管芯和所述導電柱；

在所述電壓調節器管芯和所述密封材料上方形成第一介電層；

在所述第一介電層中形成第一再分布線，其中，所述第一再分布線的部分電連接至所述導電柱并且與所述電壓調節器管芯的半導體襯底中的通孔直接接觸；

用介電材料替代所述管芯附接膜；

形成第二介電層，其中，所述第一介電層和所述第二介電層位于所述電壓調節器管芯的相對兩側上；

在所述第二介電層中形成第二再分布線；以及

將額外的器件管芯接合至所述第二再分布線；

其中，將所述通孔與所述電壓調節器管芯中的所有有源電路電斷開。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，當平坦化所述密封材料時，去除所述電壓調節器管芯的背部以暴露所述電壓調節器管芯的半導體襯底中的通孔，并且其中，所述通孔將所述第一再分布線電連接至所述第二再分布線。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，替代所述管芯附接膜包括：

蝕刻所述管芯附接膜以在所述密封材料中形成凹槽；

在所述凹槽內填充所述介電材料；以及

實施額外的平坦化以去除所述介電材料的多余部分，直到暴露所述電壓調節器管芯中的金屬柱。