[發(fā)明專利]磁記錄介質(zhì)用基底有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611150375.1 | 申請日： | 2016-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN107017010B | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 幸松孝治;村瀨功;杉本公德;小林智也 | 申請（專利權(quán)）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | G11B5/73 | 分類號： | G11B5/73;G11B5/82 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 龐東成;孟偉青 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 記錄 介質(zhì) 基底 | ||
1.一種磁記錄介質(zhì)用基底，包括：
襯底，其由鋁合金制成；以及
膜，其由NiP基合金制成并設(shè)置在所述襯底上，
其特征在于，
所述襯底的鋁合金含有0.2質(zhì)量％～6質(zhì)量％范圍內(nèi)的Mg、3質(zhì)量％～17質(zhì)量％范圍內(nèi)的Si、0.05質(zhì)量％～2質(zhì)量％范圍內(nèi)的Zn、及0.001質(zhì)量％～1質(zhì)量％范圍內(nèi)的Sr，
所述襯底的合金結(jié)構(gòu)中的Si顆粒的平均粒徑為2μm以下，
所述膜具有10μm以上厚度，
所述襯底具有53mm以上的外徑、0.9mm以下的厚度、及79GPa以上的楊氏模量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用基底，其中，所述膜由包含15質(zhì)量％～35質(zhì)量％范圍內(nèi)的P的NiP合金制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用基底，其中，所述膜由包含15質(zhì)量％～22質(zhì)量％范圍內(nèi)的W和3質(zhì)量％～10質(zhì)量％范圍內(nèi)的P的NiWP基合金制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用基底，其中，所述磁記錄介質(zhì)用基底是在所述襯底上鍍覆有所述膜的鍍覆基底。
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