[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201611149521.9
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN106898649A
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅威揚(yáng);程潼文;詹佳玲;林木滄
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：

一基材；

至少一源極漏極特征，至少部分位于該基材中；

一柵極結(jié)構(gòu)，位于該基材上；以及

至少一柵極間隙壁，位于該柵極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)壁上，其中該柵極間隙壁的至少一底部位具有多個摻雜物于其中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述多個摻雜物包含砷、磷、硼或上述摻雜物的任意組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該源極漏極特征包含一輕摻雜漏極區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該柵極間隙壁的該底部位是相鄰于該源極漏極特征。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該源極漏極特征包含一磊晶結(jié)構(gòu)。

6.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：

一基材；

至少一半導(dǎo)體鰭片，位于該基材上，其中該半導(dǎo)體鰭片包含至少一通道部位以及至少一源極漏極部位；

一柵極結(jié)構(gòu)，位于該半導(dǎo)體鰭片的該通道部位上；以及

至少一柵極間隙壁，相鄰于該柵極結(jié)構(gòu)，位于該半導(dǎo)體鰭片上，且位于該半導(dǎo)體鰭片的該通道部位與該源極漏極部位之間，其中該柵極間隙壁包含多個VIIIA族雜質(zhì)于其中。

7.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，包含：

形成一半導(dǎo)體鰭片于一基材上；

形成一柵極結(jié)構(gòu)于該半導(dǎo)體鰭片上；

形成一間隙層以覆蓋該柵極結(jié)構(gòu)以及該半導(dǎo)體鰭片；

進(jìn)行一等向性摻雜制程以摻雜該間隙層；以及

圖案化該間隙層以形成至少一柵極間隙壁于該柵極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)壁上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，該等向性摻雜制程包含：

形成一富摻雜層，該富摻雜層包含多個摻雜物于該間隙層上；以及

進(jìn)行一撞擊植入制程以將所述多個摻雜物撞擊至該間隙層中。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，還包含形成一輕摻雜漏極區(qū)域于該半導(dǎo)體鰭片中，其中形成該輕摻雜漏極區(qū)域以及進(jìn)行該等向性摻雜制程是分開進(jìn)行的。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，還包含：

移除該柵極結(jié)構(gòu)以形成一開口，該開口相鄰于該柵極間隙壁；以及

形成一金屬柵極結(jié)構(gòu)于該開口中。