[發明專利]一種低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201611149378.3
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN106803746B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 李琛;任錚;段杰斌;史漢臣
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司;成都微光集電科技有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/19;H03F3/45
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

本發明提供了一種低噪聲放大器，包括：等效射頻信號源的一端與等效射頻電阻的一端相連接；等效射頻電阻的另一端與第一耦合電容的一端相連；第一耦合電容的另一端與第二耦合電容的一端、第一晶體管的漏極、第三晶體管的漏極共同連接于一節點，第二耦合電容的另一端與反饋電阻的一端、第二晶體管的柵極連接于一節點；反饋電阻的另一端連接于第二偏置電壓；第一晶體管的柵極連接第一偏置電壓，第一晶體管的漏極連接第一差分信號輸出端、第一負載電阻的一端；第二晶體管的漏極連接第二差分信號輸出端、第二負載電阻的一端；第一負載電阻的另一端與第二負載電阻的另一端共同連接至電源正極；第三晶體管的柵極與第一晶體管的漏極相連。

技術領域

本發明涉及集成電路技術領域，具體涉及一種低噪聲放大器。

背景技術

低噪聲放大器(LNA)是射頻收發機中的重要模塊之一，主要用于通訊系統中將接收自天線的信號放大，以便于后級的接收機電路處理。

由于來自天線的信號一般都非常微弱，低噪聲放大器一般情況下均位于非常靠近天線的部位以減小信號損耗。正是由于噪聲放大器位于整個接收機緊鄰天線的最先一級，它的特性直接影響著整個接收機接收信號的質量。為了確保天線接收的信號能夠在接收機的最后一級被正確的恢復，一個好的低噪聲放大器需要在放大信號的同時產生盡可能低的噪音以及失真。

隨著現代移動通訊的發展，低噪聲放大器要求能夠適用于各種頻率和協議的應用，因此對LNA的電感提出了更高的要求，尤其是要求LNA的電感可變，滿足各種頻率和協議應用的需要，從而使整個接收機成為一個寬帶的接收機。輸入端的阻抗匹配和噪聲匹配是實現高增益和低噪聲的關鍵，對輸入端的阻抗匹配和噪聲匹配影響最關鍵的是LNA的電感。

但是電感消耗了較多的芯片面積，因此一種不用電感的LNA解決方案便是采用噪聲消除結構。通過噪聲消除結構LNA，可以在不使用電感的前提下，獲得較好的增益和噪聲。但是對于很多協議來說，這類噪聲消除LNA的噪聲仍然是不可接受的。

發明內容

為了克服以上問題，本發明旨在提供一種低噪聲放大器，從而有效降低寬帶噪聲。

為了達到上述目的，本發明提供了一種低噪聲放大器，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第一負載電阻、第二負載電阻、反饋電阻、等效射頻電阻、第一耦合電容、第二耦合電容、等效射頻信號源、第一差分信號輸出端、第二差分信號輸出端、電源、第一偏置電壓端和第二偏置電壓端；其中，

等效射頻信號源的一端與等效射頻電阻的一端相連接，通過等效射頻電阻輸入信號；等效射頻信號源的另一端接地；

等效射頻電阻的另一端與第一耦合電容的一端相連；第一耦合電容的另一端與第二耦合電容的一端、第一晶體管的漏極、第三晶體管的漏極共同連接于一節點，第二耦合電容的另一端與反饋電阻的一端、第二晶體管的柵極連接于一節點；

反饋電阻的另一端連接于第二偏置電壓；

第一晶體管的柵極連接第一偏置電壓，第一晶體管的漏極連接第一差分信號輸出端、且還連接于第一負載電阻的一端；

第二晶體管的源極接地，第二晶體管的漏極連接第二差分信號輸出端、且還連接于第二負載電阻的一端；

第一負載電阻的另一端與第二負載電阻的另一端共同連接至電源的正極；

第三晶體管的柵極與第一晶體管的漏極相連，第三晶體管的源極接地。

優選地，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管均為NMOS晶體管。

優選地，所述等效射頻電阻為30～75歐姆。

優選地，所述等效射頻信號源的射頻范圍為50MHz～5.5GHz。

優選地，所述第一負載電阻為3～10千歐姆。