[發明專利]一種LED芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 201611148825.3
• 申請日: 2016-12-13
• 公開（公告）號: CN106784218B
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 于娜;田艷紅;顧小云;王力明
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種LED芯片，所述LED芯片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的n型氮化物半導體層、發光層、p型氮化物半導體層、電流阻擋層、透明導電層，所述p型氮化物半導體層上設有延伸至所述n型氮化物半導體層的凹槽，所述n型氮化物半導體層、所述凹槽的側壁、所述透明導電層上設有鈍化層，所述透明導電層上的鈍化層上設有延伸至所述p型氮化物半導體層的第一通孔，p型電極設置在所述第一通孔內，所述n型氮化物半導體層上的鈍化層上設有延伸至所述n型氮化物半導體層的第二通孔，n型電極設置在所述第二通孔內，其特征在于，所述電流阻擋層上設有若干延伸至所述p型氮化物半導體層的第三通孔，所述第三通孔的底面區域與所述第一通孔的底面區域不重合；所述電流阻擋層在設置表面上呈U形，所述p型電極的形狀與所述電流阻擋層的形狀相匹配，且所述p型電極在所述電流阻擋層上的正投影位于所述電流阻擋層的外輪廓所圍成的圖形的內部，所述n型電極在設置表面上呈條形，所述條形位于所述U形的兩端之間。

2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第三通孔為柱體。

3.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述柱體的橫截面為圓形、三角形、方形、六邊形中的任一種。

4.根據權利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述柱體的橫截面上兩點之間的最長距離為1～5μm。

5.根據權利要求1～4任一項所述的LED芯片，其特征在于，所述電流阻擋層采用以下材料中的一種或多種形成：二氧化硅、二氧化鈦、氮化硅。

6.一種LED芯片的制作方法，所述制作方法包括：

在襯底上依次外延生長n型氮化物半導體層、發光層、p型氮化物半導體層；

在所述p型氮化物半導體層上開設延伸至所述n型氮化物半導體層上的凹槽；

在所述p型氮化物半導體層上形成電流阻擋層，所述電流阻擋層內設有延伸至所述p型氮化物半導體層的通孔；

在所述電流阻擋層和所述p型氮化物半導體層上形成透明導電層，所述透明導電層內設有與所述p型氮化物半導體層內的通孔連通的通孔；

在所述n型氮化物半導體層、所述凹槽的側壁、所述透明導電層上形成鈍化層，所述透明導電層上的鈍化層內設有與所述透明導電層內的通孔連通的通孔，所述透明導電層上的鈍化層內的通孔、所述透明導電層內的通孔、所述電流阻擋層內的通孔組成第一通孔，所述n型氮化物半導體層上的鈍化層上設有延伸至所述n型氮化物半導體層的第二通孔；

在所述第一通孔內設置p型電極，在所述第二通孔內設置n型電極；

其特征在于，所述電流阻擋層上還設有若干延伸至所述p型氮化物半導體層的第三通孔，所述第三通孔的底面區域與所述第一通孔的底面區域不重合；所述電流阻擋層在設置表面上呈U形，所述p型電極的形狀與所述電流阻擋層的形狀相匹配，且所述p型電極在所述電流阻擋層上的正投影位于所述電流阻擋層的外輪廓所圍成的圖形的內部，所述n型電極在設置表面上呈條形，所述條形位于所述U形的兩端之間。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第三通孔為柱體。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述柱體的橫截面為圓形、三角形、方形、六邊形中的任一種。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述柱體的橫截面上兩點之間的最長距離為1～5μm。

10.根據權利要求6～9任一項所述的制作方法，其特征在于，所述電流阻擋層采用以下材料中的一種或多種形成：二氧化硅、二氧化鈦、氮化硅。