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[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法在審

專利信息
申請號: 201611145257.1 申請日: 2016-12-13
公開(公告)號: CN106876563A 公開(公告)日: 2017-06-20
發明(設計)人: 陳裕軒;吳明桂 申請(專利權)人: 億光電子工業股份有限公司
主分類號: H01L33/52 分類號: H01L33/52;H01L33/50;H01L33/60
代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100 代理人: 駱希聰
地址: 中國臺灣新*** 國省代碼: 臺灣;71
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 發光二極管 封裝 結構 及其 制造 方法
【權利要求書】:

1.一種發光二極管封裝結構,包括:

一基材,具有一第一表面;

一發光二極管,配置于該基材的該第一表面上且適于產生及發射一光;以及

一封裝膠體,配置于該基材上且包覆該發光二極管,其中該封裝膠體具有與該基材的該第一表面平行的一第二表面以及與該基材的該第一表面垂直的多個第三表面,

其中該光通過與該基材的該第一表面平行的該第二表面后具有一第一發光強度,該光通過與該基材的該第一表面垂直的該多個第三表面后具有一第二發光強度,該第一發光強度大于該第二發光強度。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,其中該發光二極管封裝結構還包括一覆蓋元件,其設置于該封裝膠體與該基材的該第一表面垂直的該多個第三表面的至少其中之一,該光通過該覆蓋元件后具有一第三發光強度,其中該第三發光強度小于該第二發光強度。

3.如權利要求2所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該覆蓋元件是借由噴涂、濺鍍、壓模、或磨砂的方式所形成。

4.如權利要求2所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該覆蓋元件的透光率低于該封裝膠體的透光率。

5.如權利要求2所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該覆蓋元件的一端至少部分切入該基材表面。

6.如權利要求2所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,具有該第一發光強度、該第二發光強度、以及該第三發光強度的該光的透出方向相互垂直。

7.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該發光二極管在與該基材的該第一表面呈垂直的至少一第四表面以及相對于該至少一第三表面的封裝膠體表面之間設置有一覆蓋元件,使得通過該覆蓋元件自該封裝膠體表面透出的光具有一第三發光強度,其中該第三發光強度小于該第二發光強度。

8.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該覆蓋元件是借由噴涂、濺鍍、壓模、或磨砂的方式所形成。

9.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該覆蓋元件的透光率低于該封裝膠體的透光率。

10.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該覆蓋元件的一端至少部分切入該基材的該第一表面。

11.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,具有該第一發光強度、該第二發光強度、以及該第三發光強度的該光的透出方向相互垂直。

12.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該發光二極管在與該基材的該第一表面呈垂直的至少一第四表面上設置有一覆蓋元件,使得通過該覆蓋元件自該封裝膠體表面透出的光具有一第三發光強度,其中該第三發光強度小于該第二發光強度。

13.如權利要求12所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該覆蓋元件是借由噴涂、濺鍍、壓模、或磨砂的方式所形成。

14.如權利要求12所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該覆蓋元件的透光率低于該封裝膠體的透光率。

15.如權利要求12所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,該覆蓋元件的一端至少部分切入該基材的該第一表面。

16.如權利要求12所述的發光二極管封裝結構,其特征在于,具有該第一發光強度、該第二發光強度、以及該第三發光強度的該光的透出方向相互垂直。

17.一種發光二極管封裝結構的制造方法,包括:

提供一基材;

設置多個發光二極管于該基材上,其中該多個發光二極管形成一陣列;

設置一封裝膠體于該基材上且包覆該多個發光二極管;

沿該陣列的行方向或列方向在該多個發光二極管之間預切割該封裝膠體,以形成相互平行的多個切槽,其中各該切槽切入該基材的表面;

填充一膠材于各該切槽中;以及

對該封裝膠體及該基材進行單體化切割,以形成多個發光二極管封裝結構,其中該膠材成為各該發光二極管封裝結構的一覆蓋元件。

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