[發明專利]擴散源溫度的調控方法及裝置有效
| 申請號: | 201611141731.3 | 申請日: | 2016-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN106601871B | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發明(設計)人: | 曹洋洋;張偉 | 申請(專利權)人: | 徐州鑫宇光伏科技有限公司;協鑫集成科技股份有限公司;協鑫集成科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/228 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凱 |
| 地址: | 221000 江蘇省徐州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 擴散 溫度 調控 方法 裝置 | ||
本發明涉及一種擴散源溫度的調控方法及裝置,所述方法包括:實時獲取擴散源的當前剩余體積;在所述當前剩余體積下判斷是否需要提高所述擴散源的溫度;若是,則提高所述擴散源的溫度。本發明在太陽能晶體硅電池的生產過程,實時獲取生產過程中擴散源的當前剩余體積,并根據當前剩余體積判斷是否需要提高擴散源溫度,如果需要,則提高擴散源的溫度;由此,在生產過程中,當前剩余體積的減少,會導致方阻偏大,此時為保持方阻的穩定性,可以提高擴散源的溫度降低方阻,使方阻保持穩定;同時,不反應氣體相對攜帶的擴散源量也會增加,防止不反應氣體在擴散源的液位降低時導致攜帶的擴散源量減小,從而提高太陽能電池的工藝參數的穩定性。
技術領域
本發明涉及晶體硅太陽能電池領域,特別是涉及一種擴散源溫度的調控方法及裝置。
背景技術
目前大規模生產中,晶體硅電池PN節制作的擴散工藝常規使用液態擴散源進行,利用高溫擴散在P型或N型基底擴散進單質磷或硼形成太陽能電池,然后測試擴散后的薄層電阻(方阻)衡量擴散效果。
通常影響太陽能電池擴散效果的主要因素有:片源體材質、擴散溫度、擴散時間、擴散氣體流量(氮氣、氧氣、擴散源量)。擴散源一般情況下為液態,不能直接通入爐管進行擴散,因此,擴散源主要為利用不反應氣體通入液態擴散源中攜帶擴散源進入爐管內,與爐管內的氧氣、硅片進行擴散反應。
不反應氣體攜帶的擴散源量與擴散源液位高度和擴散源實際溫度相關。當擴散源液位高時,不反應氣體相對攜帶擴散源量多,擴散方阻變小,反之則少,擴散方阻變大。擴散源溫度高時,不反應氣體相對攜帶的擴散源量多,擴散方阻變小,反之則少,擴散方阻變大。
隨著生產過程中的持續進行,擴散源的持續使用會導致擴散源液位下降,相同不反應氣體攜帶的擴散源量則會減少,導致方阻偏大。目前的做法通常是增加擴散管的整體溫度,防止方阻增大。但這種做法在生產中,雖然可以使方阻相同,但不反應氣體實際攜帶的擴散源量會有減少,對于生產的太陽能電池,會導致其工藝參數發生變化,不利于對太陽能電池的工藝參數的穩定性管控。
發明內容
基于此,有必要提供一種擴散源溫度的調控方法及裝置,提高太陽能電池的工藝參數的穩定性。
一種擴散源溫度的調控方法,所述方法包括:
實時獲取擴散源的當前剩余體積;
在所述當前剩余體積下判斷是否需要提高所述擴散源的溫度;
若是,則提高所述擴散源的溫度。
在其中一個實施例中,在所述當前剩余體積下判斷是否需要提高所述擴散源的溫度包括:
在所述當前剩余體積下獲取對應的方阻值;
檢測所述方阻值與預設值之間的差值是否大于預設差值;
若是,則判斷需要提高所述擴散源的溫度。
在其中一個實施例中,所述提高所述擴散源的溫度包括:
根據所述方阻值與預設值之間的差值獲取需要增加的所述擴散源的溫度變化值;
將所述擴散源的當前溫度提高至所述擴散源的當前溫度與需要增加的溫度變化值之和。
在其中一個實施例中,在所述當前剩余體積下判斷是否需要提高所述擴散源的溫度包括:
檢測所述當前剩余體積是否達到預設的體積值;
若是,則判斷需要提高所述擴散源的溫度。
在其中一個實施例中,所述提高所述擴散源的溫度包括:
獲取與所述預設的體積值對應關聯的擴散源的溫度值;
將所述擴散源的當前溫度提高至與所述預設的體積值對應關聯的擴散源的溫度值。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





