[發(fā)明專利]發(fā)光器件封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611141151.4
• 申請(qǐng)日: 2012-05-14
• 公開（公告）號(hào): CN106848033B
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金炳穆;鄭粹正;金有東;李建教
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張?jiān)≡?李玉鎖

1.一種發(fā)光器件封裝，包括：

陶瓷本體，包括上表面，與上表面相對(duì)的下表面，以及設(shè)置在上表面和下表面之間的側(cè)表面；

散熱元件，設(shè)置在所述本體中，在上表面和下表面之間；

第一電極和第二電極，在所述本體的上表面上；

多個(gè)焊盤，設(shè)置在所述本體的下表面上；以及

發(fā)光二極管，設(shè)置在所述第一電極上并且電連接至所述第二電極，

其中，所述多個(gè)焊盤包括第一焊盤，與第一焊盤分隔開的第三焊盤，以及設(shè)置在第一焊盤和第三焊盤之間的第二焊盤，

其中，所述散熱元件包括第一散熱元件和第二散熱元件，所述第二散熱元件比所述第一散熱元件更靠近所述本體的下表面，

其中所述第一散熱元件包括頂表面，

其中所述第二散熱元件包括底表面，

其中，所述第一散熱元件包括從所述第一散熱元件的頂表面朝向所述本體的所述側(cè)表面突出的突出部，

其中，所述第一散熱元件的頂表面的寬度比所述第二散熱元件的底表面的寬度窄，

其中，所述第一散熱元件的下表面的寬度比所述第二散熱元件的頂表面的寬度窄，

其中所述第一散熱元件的下表面與所述第二散熱元件的頂表面接觸，

其中所述散熱元件的頂表面的橫向?qū)挾缺人龅诙嵩牡妆砻娴臋M向?qū)挾日?/p>

其中，所述本體的下表面與所述第二散熱元件的底表面之間的垂直距離小于所述散熱元件的垂直厚度，

其中所述發(fā)光二極管、所述散熱元件以及所述第二焊盤垂直疊置，

其中所述第一電極的一部分從所述本體的上表面延伸至所述本體的內(nèi)部區(qū)域，以及

其中所述第一電極與所述第二電極分別接觸第一焊盤和第三焊盤。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝，其中所述本體被堆疊為多個(gè)層，其中所述多個(gè)層中的至少一個(gè)層的厚度比所述散熱元件的垂直厚度薄。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件封裝，其中所述多個(gè)層中的任意一個(gè)層的頂表面或下表面形成有金屬圖案。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件封裝，包括連接元件，所述連接元件在所述本體中穿過所述本體電連接至所述多個(gè)焊盤中的至少一個(gè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件封裝，

其中所述第一焊盤設(shè)置在所述本體的下表面的第一區(qū)域上，

其中所述第三焊盤設(shè)置在所述本體的下表面的第二區(qū)域上，

其中所述第二焊盤設(shè)置在所述本體的下表面的中心區(qū)域上，以及

其中所述第二焊盤與所述散熱元件在豎直方向上重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件封裝，其中所述第二焊盤的寬度比所述第一焊盤的寬度或所述第三焊盤的寬度寬。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件封裝，其中所述第一電極形成為多層，所述第一電極的頂層包含Au材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件封裝，其中所述第一電極的頂層與下層之間的層包括Pt、Ni、Cu中的至少一個(gè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件封裝，其中形成在所述散熱元件下表面上的粗糙部以均方根表示為10μm或更小。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件封裝，其中所述散熱元件的頂表面具有粗糙表面。