[發明專利]多孔硅基氣體傳感器及其應用于氣體檢測的方法

在審

• 申請號: 201611141046.0
• 申請日: 2016-12-12
• 公開（公告）號: CN108614016A
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 焦繼偉;袁素珺
• 申請（專利權）人: 上海新微技術研發中心有限公司
• 主分類號: G01N27/22
• 分類號: G01N27/22
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 劉星

1.一種多孔硅基氣體傳感器，其特征在于：所述多孔硅基氣體傳感器包括由經同種方法改性的下層多孔硅及上層多孔硅組成的雙層改性多孔硅；所述下層多孔硅與所述上層多孔硅連通，且所述下層多孔硅底部封閉；所述上層多孔硅吸附的氣體可進入所述下層多孔硅中；所述上層多孔硅的平均孔徑大于所述下層多孔硅的平均孔徑。

2.根據權利要求1所述的多孔硅基氣體傳感器，其特征在于：所述上層多孔硅包括大孔及介孔中的至少一種；所述下層多孔硅包括介孔及微孔中的至少一種；所述微孔的孔徑小于2nm，所述介孔的孔徑范圍是2～50nm，所述大孔的孔徑大于50nm。

3.根據權利要求1所述的多孔硅基氣體傳感器，其特征在于：所述雙層改性多孔硅改性前是由單晶硅片在氫氟酸基溶液中進行陽極氧化獲得。

4.根據權利要求1所述的多孔硅基氣體傳感器，其特征在于：所述雙層改性多孔硅的改性方法包括：氣相法或液相法。

5.如權利要求1-4任意一項所述的多孔硅基氣體傳感器應用于氣體檢測的方法，其特征在于：利用所述雙層改性多孔硅累積吸附被測氣體，并通過測量吸附過程中所述雙層改性多孔硅的電容變化，得到被測氣體的濃度變化。

6.根據權利要求5所述的多孔硅基氣體傳感器應用于氣體檢測的方法，其特征在于：持續或者根據預設時間間隔不斷測量所述雙層改性多孔硅的電容。

7.根據權利要求5所述的多孔硅基氣體傳感器應用于氣體檢測的方法，其特征在于：當所述多孔硅基氣體傳感器斷電時，氣體吸附依舊進行，在恢復通電后，通過測量所述雙層改性多孔硅的電容值，并與斷電前測得的雙層改性多孔硅的電容值進行比較，得到斷電期間被測氣體的濃度變化。

8.根據權利要求5所述的多孔硅基氣體傳感器應用于氣體檢測的方法，其特征在于：所述被測氣體為揮發性鹽基氮，用以根據肉類釋放的揮發性鹽基氮的濃度變化檢測肉類新鮮度。

9.根據權利要求5所述的多孔硅基氣體傳感器應用于氣體檢測的方法，其特征在于：所述被測氣體為乙烯，用以根據水果釋放的乙烯的濃度變化檢測水果成熟度。