[發明專利]一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置

在審

• 申請號: 201611140959.0
• 申請日: 2016-12-12
• 公開（公告）號: CN108609573A
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 王賢超
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B81B3/00
• 分類號: B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

基底；

振膜，位于所述基底的上方，所述振膜的邊緣部分的厚度大于所述振膜的中心部分的厚度；

背板，位于所述振膜的上方；

空腔，位于所述振膜和所述背板之間，所述中心部分和部分所述邊緣部分暴露在所述空腔中。

2.根據權利1所述的MEMS器件，其特征在于，所述振膜包括：

振膜本體，位于所述基底的上方；

輔助振膜，與所述振膜本體的邊緣部分堆疊設置，并固定在一起。

3.根據權利2所述的MEMS器件，其特征在于，所述輔助振膜的厚度大于或等于所述振膜本體的厚度。

4.根據權利1或2所述的MEMS器件，其特征在于，所述振膜選自半導體材料、金屬材料和活性樹脂中的一種。

5.根據權利1所述的MEMS器件，其特征在于，所述基底中形成有背腔，以露出所述中心部分和部分所述邊緣部分。

6.根據權利1所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件還包括：

保護層，位于所述背板上方；其中，所述保護層和所述背板中形成有若干位于所述空腔上方并與所述空腔連通的聲孔開口。

7.一種MEMS器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成振膜，其中，所述振膜的邊緣部分的厚度大于所述振膜的中心部分的厚度；

在所述振膜的上方形成背板，所述振膜和所述背板之間形成有空腔，所述中心部分和部分所述邊緣部分暴露在所述空腔中。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述空腔的方法包括：

在所述基底和所述振膜上形成犧牲層，所述背板覆蓋所述犧牲層；

形成所述背板后，去除所述振膜和所述背板之間的所述犧牲層，以在所述振膜和所述背板之間形成空腔并露出所述中心部分和部分所述邊緣部分。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述犧牲層的步驟包括：

在所述基底和所述振膜上形成第一犧牲材料層，以覆蓋所述基底和所述振膜；

圖案化所述第一犧牲材料層，以在所述第一犧牲材料層中形成露出所述振膜的開口；

在所述第一犧牲材料層上形成第二犧牲材料層。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，去除所述犧牲層的步驟包括：

在所述基底、所述背板和所述犧牲層上形成保護層；

圖案化所述保護層和所述背板，以在所述保護層和所述背板中形成聲孔開口并露出所述犧牲層；

通過所述聲孔開口去除露出的所述振膜和所述背板之間的所述犧牲層。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述空腔之后所述方法還進一步包括圖案化所述基底的背面，以在所述基底中形成背腔以露出所述中心部分和部分所述邊緣部分。

12.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述振膜的方法包括：

在所述基底的上方形成振膜本體；

形成輔助振膜，所述輔助振膜與所述振膜本體的邊緣部分堆疊設置，并固定在一起。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述輔助振膜的方法包括：

在所述基底上形成輔助振膜材料并圖案化，以去除位于振膜中心區域的所述輔助振膜材料，從而在預定形成振膜的區域的邊緣處形成所述輔助振膜；

形成所述輔助振膜之后，在所述輔助振膜和所述基底上形成振膜本體材料層；

圖案化所述輔助振膜和所述振膜本體材料層，以得到所述振膜。