[發(fā)明專利]一種炭材料表面碳化硅納米晶須及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611138624.5 | 申請日： | 2016-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN106784667B | 公開（公告）日： | 2019-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李軒科;朱輝;董志軍;袁觀明 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01M4/36 | 分類號： | H01M4/36;H01M4/583;H01M4/58;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 張火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 材料 表面 碳化硅 納米 及其 制備 方法 | ||
1.一種炭材料表面碳化硅納米晶須的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
步驟一、按硅粉∶二氧化硅粉的摩爾比為1∶（0.25~4），將硅粉和二氧化硅粉混合均勻，得到硅源；
步驟二、將瀝青基炭纖維或瀝青基炭纖維氈置于高溫石墨化爐中，通入氬氣進行高溫炭化處理，高溫炭化處理的溫度為1000~2800℃，高溫炭化處理的時間為0.5~1h，得到碳源；
步驟三、按所述硅源∶所述碳源的摩爾比為1∶（0.25~4），將所述硅源和所述碳源依次置于石墨坩堝中，然后將所述石墨坩堝放入高溫炭化爐中，抽真空至5~20Pa，再通入氬氣至常壓；
步驟四、在氬氣氣氛條件下，以10~20℃/min的速率將所述高溫炭化爐升溫至1200~1500℃，保溫0.5~3h，自然冷卻至室溫，制得炭材料表面碳化硅納米晶須。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述炭材料表面碳化硅納米晶須的制備方法，其特征在于所述硅粉的粒度為20~80μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述炭材料表面碳化硅納米晶須的制備方法，其特征在于所述二氧化硅粉末的粒度為20~80μm。
4.一種炭材料表面碳化硅納米晶須，其特征在于所述炭材料表面碳化硅納米晶須是根據(jù)權(quán)利要求1~3項中任一項所述炭材料表面碳化硅納米晶須的制備方法所制備的炭材料表面碳化硅納米晶須。
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