[發明專利]使用熱與機械強化層的裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201611135570.7
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN106952831B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發明（設計）人: 余振華;蘇安治;陳威宇;陳英儒;林宗澍;張進傳;陳憲偉;吳偉誠;葉德強;黃立賢;吳集錫
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L25/065
• 代理公司: 11287 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 路勇

本發明實施例提供一種使用熱與機械強化層的裝置及其制造方法。本發明實施例提供的方法包含將第一層級裝置裸片附接到虛設裸片，將所述第一層級裝置裸片囊封于第一囊封材料中，在所述第一層級裝置裸片上方形成貫穿通路并且將其電耦合到所述第一層級裝置裸片，將第二層級裝置裸片附接于所述第一層級裝置裸片上方，以及將所述貫穿通路與所述第二層級裝置裸片于囊封第二囊封材料中。重布線形成于所述貫穿通路與所述第二層級裝置裸片上方并且電耦合到所述貫穿通路與所述第二層級裝置裸片。所述虛設裸片、所述第一層級裝置裸片、所述第一囊封材料、所述第二層級裝置裸片、以及所述第二囊封材料形成復合晶片的部分。

技術領域

本發明實施例是關于一種使用熱與機械強化層的裝置及其制造方法。

背景技術

堆疊裸片通常用于三維(3D)集成電路中。經由裸片的堆疊，降低封裝的覆蓋區(尺寸架構)。此外，經由堆疊裸片的形成，顯著簡化于裸片中繞線的金屬線。

在一些常規應用中，堆疊多個裸片，形成裸片堆疊，其中所述多個裸片包含貫穿襯底通路(TSV，有時稱為貫穿硅通路)。堆疊的裸片總數有時可達到八或更多。當形成此一裸片堆疊時，在封裝襯底上，經由倒裝芯片接合，先接合第一裸片，其中回焊焊料區/球以結合第一裸片到封裝襯底。第一底膠填充分散于第一裸片與封裝結構之間的間隙。而后，硬化第一底膠填充。而后進行測試，確保第一裸片適當連接到封裝襯底，以及第一裸片與封裝襯底具有所要的功能。

接著，第二裸片經由倒裝芯片接合而接合到第一裸片上，其中回焊焊料區/球以結合第二裸片到第一裸片。第二底膠填充分散于第二裸片與第一裸片之間的間隙中。而后，硬化第二底膠填充。而后，進行測試，以確保第二裸片正確連接到第一裸片與封裝襯底，以及第一裸片、第二裸片、以及封裝襯底具有所要的功能。接著，第三裸片經由與接合第一裸片及第二裸片相同的過程步驟接合到第二裸片上。重復所述過程直到所有裸片被接合。

發明內容

本發明的一些實施例是提供一種方法，其包括將第一層級裝置裸片附接到虛設虛設裸片；將所述第一層級裝置裸片囊封于第一囊封材料中；形成位于所述第一層級裝置裸片上方并且電耦合到所述第一層級裝置裸片的多個第一貫穿通路；將第二層級裝置裸片附接于所述第一層級裝置裸片上方；將所述第一貫穿通路與所述第二層級裝置裸片囊封于第二囊封材料中；以及在所述第一貫穿通路與所述第二層級裝置裸片上方形成多個重布線，所述重布線電耦合到所述第一貫穿通路與所述第二層級裝置裸片，所述虛設虛設裸片、所述第一層級裝置裸片、所述第一囊封材料、所述第二層級裝置裸片、以及所述第二囊封材料是復合晶片的一部分。

本發明的一些實施例是提供一種方法，其包括將擋片附接于載體上方，其中所述擋片是無集成電路裝置；薄化所述擋片；將多個第一層級裝置裸片附接到所述薄化的擋片；將多個第二層級裝置裸片堆疊于所述第一層級裝置裸片上方；形成電耦合到所述第一層級裝置裸片的多個貫穿通路；在所述貫穿通路與所述第二層級裝置裸片上方形成多個重布線并且將所述重布線電耦合到所述貫穿通路與所述第二層級裝置裸片；以及進行裸片切割，以將所述擋片、所述第一層級裝置裸片、以及所述第二層級裝置裸片分離成為多個封裝，所述多個封裝各自包括所述擋片中的虛設虛設裸片、所述第一層級裝置裸片中的一者、以及所述第二層級裝置裸片中的一者。

本發明的一些實施例是提供一種封裝，其包括虛設虛設裸片；第一層級裝置裸片，位于所述虛設虛設裸片上方并且附接到所述虛設虛設裸片；第一囊封材料，囊封所述第一層級裝置裸片；第二層級裝置裸片，位于所述第一層級裝置裸片上方；多個貫穿通路，重疊且電連接到所述第一層級裝置裸片，其中所述貫穿通路與所述第二層級裝置裸片同階層；第二囊封材料，在其中囊封所述第二層級裝置裸片與所述貫穿通路；以及多個重布線，位于所述貫穿通路與所述第二層級裝置裸片上方并且電耦合到所述貫穿通路與所述第二層級裝置裸片。

附圖說明