[發明專利]一種開合式三維溝槽電極硅探測器

有效

• 申請號: 201611133684.8
• 申請日: 2016-12-10
• 公開（公告）號: CN106449801B
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: 李正;唐立鵬;劉曼文;馮明富
• 申請（專利權）人: 湘潭大學
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0203
• 代理公司: 長沙星耀專利事務所(普通合伙)43205
• 代理人: 姜芳蕊

1.一種開合式三維溝槽電極硅探測器，其特征在于，在硅體(3)上貫穿刻蝕后經過擴散摻雜形成開合式溝槽電極(6)、中央電極(1)，開合式溝槽電極(6)環繞于中央電極(1)之外，中央電極(1)接負極，開合式溝槽電極(6)接正極，開合式溝槽電極(6)為存在開口、不連續的圓柱結構，開合式溝槽電極(6)與中央電極(1)均貫穿探測器底部；探測器最底端設有二氧化硅保護層(5)；

所述中央電極(1)為空心的圓柱形，半徑是5μm；

所述中央電極(1)由鋁層和重摻雜硼硅層構成，鋁層位于最上層，厚度為1μm；重摻雜硼硅層位于鋁層下面，厚度為200μm～500μm；

所述開合式溝槽電極(6)為空心圓柱環，開合式溝槽電極(6)的寬度10μm；

所述開合式溝槽電極(6)由鋁層和重摻雜磷硅層構成，鋁層位于最上層，厚度為1μm；重摻雜磷硅層位于鋁層下面，厚度為200μm～500μm；

所述硅體(3)為p型，硅體(3)由二氧化硅層和輕摻雜硼硅層構成，二氧化硅層位于最上層，厚度為1μm；輕摻雜硼硅層位于二氧化硅層下面，厚度為200μm～500μm；

所述二氧化硅保護層(5)厚度為1μm；

所述開合式溝槽電極(6)開口的內側弧長為3μm～10μm。