[發明專利]一種位線預充電和放電電路以及存儲器

有效

• 申請號: 201611130662.6
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN108615541B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 權彝振;倪昊;楊家奇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G11C16/24
• 分類號: G11C16/24;G11C7/12
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

本發明提供一種位線預充電和放電電路以及存儲器，所述位線預充電和放電電路包括：位線偏壓監控模塊，用于監控所述位線的位線偏壓并輸出位線檢測信號；選擇控制模塊，連接所述位線偏壓監控模塊，并用于基于所述位線檢測信號生成選擇設置信號；位線偏壓調節模塊，連接所述選擇控制模塊，用于基于所述選擇設置信號生成參考偏壓，并基于所述參考偏壓將所述位線的位線偏壓調節至目標位線偏壓。本發明的位線預充電和放電電路以及存儲器，能夠在非常短的時間內準確調節到所需的位線偏壓，從而增加讀取速度。

技術領域

本發明涉及存儲器領域，具體而言涉及一種位線預充電和放電電路以及存儲器。

背景技術

非易失性存儲器(NVM)可進行編程、擦除和讀取操作，其中，讀取操作的讀取速度與位線偏置電壓的建立時間密切相關，并且尤其重要的是位線(BL)與源線(SL)之間的恒定的電勢差。傳統的位線預充電和放電方案簡單地用開關連接電源電壓VDD或地電壓VSS以為位線進行預充電和放電，所以需要等待位線預充電或放電的時間，以達到所需的位線偏置電壓。

然而，隨著社會的進步，需要越來越快的存儲器讀取速度，但現有的位線調節器已經變為存儲器讀取速度的限制因素。

因此，為了解決上述問題，有必要提出一種新型的位線預充電和放電電路以及存儲器，以提高數據讀取速度。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

為了克服目前存在的問題，本發明一方面提供一種位線預充電和放電電路，用于為存儲器中的位線進行預充電和放電，所述位線預充電和放電電路包括：

位線偏壓監控模塊，用于監控所述位線的位線偏壓并輸出位線檢測信號；

選擇控制模塊，連接所述位線偏壓監控模塊，并用于基于所述位線檢測信號生成選擇設置信號；

位線偏壓調節模塊，連接所述選擇控制模塊，用于基于所述選擇設置信號生成參考偏壓，并基于所述參考偏壓將所述位線的位線偏壓調節至目標位線偏壓。

在一個實施例中，所述位線預充電和放電電路還包括源線偏壓調節模塊，用于基于所述參考偏壓調節源線偏壓，以使得所述位線偏壓和源線偏壓之間保持恒定的電勢差。

在一個實施例中，所述位線偏壓調節模塊包括：

參考偏壓控制器，連接至所述選擇控制模塊，用于基于所述選擇設置信號生成所述參考偏壓；

第一比較放大器，正輸入端連接至所述參考偏壓控制器的輸出端；

調節電路，連接至所述第一比較放大器的輸出端，用于基于存儲器系統的泵偏壓將所述位線偏壓調節為所述目標位線偏壓。

在一個實施例中，所述調節電路包括第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，其中，

所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的漏極連接所述泵偏壓，

所述第一NMOS管的源極連接所述第一比較放大器的負輸入端，

所述第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管的柵極均連接所述第一比較放大器的輸出端，

所述第二NMOS管的源極和所述第三NMOS管的漏極輸出所述位線偏壓。

在一個實施例中，所述位線偏壓調節模塊還包括第四NMOS管，其中，所述第四NMOS管的柵極用于連接存儲器系統時鐘信號，漏極連接所述第三NMOS管的源極。