[發(fā)明專利]基于NAND flash的數(shù)據(jù)塊處理方法和裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611130435.3
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN108614666B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳誠
• 申請（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆;胡彬

本發(fā)明實施例公開了一種基于NAND flash的數(shù)據(jù)塊處理方法，應(yīng)用于NAND flash存儲設(shè)備，所述存儲設(shè)備包括至少一個數(shù)據(jù)塊，每個數(shù)據(jù)塊包括至少一個數(shù)據(jù)頁，所述方法包括：檢測目標數(shù)據(jù)塊是否寫滿；當檢測出目標數(shù)據(jù)塊未寫滿時，檢測目標數(shù)據(jù)塊的寫操作次數(shù)和讀操作次數(shù)是否分別滿足寫操作預設(shè)條件和讀操作預設(shè)條件；當檢測出滿足時，以目標數(shù)據(jù)塊當前的第一個空白數(shù)據(jù)頁為起始頁，在包含所述第一個空白數(shù)據(jù)頁的第一預設(shè)頁數(shù)空白數(shù)據(jù)頁內(nèi)寫入無效數(shù)據(jù)。本發(fā)明實施例解決了現(xiàn)有技術(shù)中當數(shù)據(jù)塊沒有寫滿時而引起數(shù)據(jù)不穩(wěn)定的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及存儲器技術(shù)，尤其涉及一種基于NAND flash的數(shù)據(jù)塊處理方法和裝置。

背景技術(shù)

眾所周知，半導體存儲器具有排列成陣列的大量存儲器單元，陣列內(nèi)一特定的存儲器單元通常經(jīng)由一字線(word-line,WL)與一對位線(bit-line,BL)選取。字線通常耦接至一行內(nèi)各存儲器單元的一個或多個控制柵。假設(shè)控制柵由NMOS所形成，當耦接于其上的字線具有高電壓時(即，被活化，activate)，所有的存儲器單元會被導通。位線對(BL pair)通常耦接一列內(nèi)各存儲器單元的存儲點至一感測放大器。位于被活化的字線與位線對的一交叉點的存儲器單元便是被選擇的存儲器單元。通過控制字線和位線的高低電壓可以實現(xiàn)存儲單元的讀寫。

NAND flash是Flash內(nèi)存的一種，屬于非易失性半導體存儲器。NAND flash包括很多數(shù)據(jù)塊，每個數(shù)據(jù)塊由很多存儲器單元組成，用于讀寫數(shù)據(jù)。其中，沒有寫滿的數(shù)據(jù)塊稱為非滿數(shù)據(jù)塊或者打開狀態(tài)(open)的數(shù)據(jù)塊，而當數(shù)據(jù)塊沒有寫滿時，open WL數(shù)據(jù)會比較不穩(wěn)定，即對已寫數(shù)據(jù)進行多次的讀操作常常會引起數(shù)據(jù)出現(xiàn)多個bit錯誤，甚至不可糾正的錯誤。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種基于NAND flash的數(shù)據(jù)塊處理方法和裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中當數(shù)據(jù)塊沒有寫滿時而引起數(shù)據(jù)不穩(wěn)定的問題。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種基于NAND flash的數(shù)據(jù)塊處理方法，應(yīng)用于NAND flash存儲設(shè)備，所述存儲設(shè)備包括至少一個數(shù)據(jù)塊，每個數(shù)據(jù)塊包括至少一個數(shù)據(jù)頁，該方法包括：檢測目標數(shù)據(jù)塊是否寫滿；當檢測出目標數(shù)據(jù)塊未寫滿時，檢測目標數(shù)據(jù)塊的寫操作次數(shù)和讀操作次數(shù)是否分別滿足寫操作預設(shè)條件和讀操作預設(shè)條件；當檢測出滿足時，以目標數(shù)據(jù)塊當前的第一個空白數(shù)據(jù)頁為起始頁，在包含所述第一個空白數(shù)據(jù)頁的第一預設(shè)頁數(shù)空白數(shù)據(jù)頁內(nèi)寫入無效數(shù)據(jù)。

進一步的，當檢測出目標數(shù)據(jù)塊未寫滿時，該方法還包括：檢測目標數(shù)據(jù)塊中，從當前最后一個非空白數(shù)據(jù)頁往前數(shù)的第二預設(shè)頁數(shù)非空白數(shù)據(jù)頁中是否存在讀錯誤；當檢測出存在讀錯誤時，以目標數(shù)據(jù)塊當前的第一個空白數(shù)據(jù)頁為起始頁，在包含所述第一個空白數(shù)據(jù)頁的第一預設(shè)頁數(shù)空白數(shù)據(jù)頁內(nèi)寫入無效數(shù)據(jù)。

第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種基于NAND flash的數(shù)據(jù)塊處理裝置，應(yīng)用于NAND flash存儲設(shè)備，所述存儲設(shè)備包括至少一個數(shù)據(jù)塊，每個數(shù)據(jù)塊包括至少一個數(shù)據(jù)頁，該裝置包括：第一檢測模塊，用于檢測目標數(shù)據(jù)塊是否寫滿；第二檢測模塊，用于當?shù)谝粰z測模塊檢測出目標數(shù)據(jù)塊未寫滿時，檢測目標數(shù)據(jù)塊的寫操作次數(shù)和讀操作次數(shù)是否分別滿足寫操作預設(shè)條件和讀操作預設(shè)條件；無效數(shù)據(jù)寫入模塊，用于當?shù)诙z測模塊檢測出所述寫操作次數(shù)和讀操作次數(shù)分別滿足寫操作預設(shè)條件和讀操作預設(shè)條件時，以目標數(shù)據(jù)塊當前的第一個空白數(shù)據(jù)頁為起始頁，在包含所述第一個空白數(shù)據(jù)頁的第一預設(shè)頁數(shù)空白數(shù)據(jù)頁內(nèi)寫入無效數(shù)據(jù)。

進一步的，該裝置還包括：第三檢測模塊，用于當?shù)谝粰z測模塊檢測出目標數(shù)據(jù)塊未寫滿時，檢測目標數(shù)據(jù)塊中，從當前最后一個非空白數(shù)據(jù)頁往前數(shù)的第二預設(shè)頁數(shù)非空白數(shù)據(jù)頁中是否存在讀錯誤；所述無效數(shù)據(jù)寫入模塊，還用于當?shù)谌龣z測模塊檢測出存在讀錯誤時，以目標數(shù)據(jù)塊當前的第一個空白數(shù)據(jù)頁為起始頁，在包含所述第一個空白數(shù)據(jù)頁的第一預設(shè)頁數(shù)空白數(shù)據(jù)頁內(nèi)寫入無效數(shù)據(jù)。