[發(fā)明專利]一種壓控溫度補(bǔ)償晶體振蕩器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611130337.X | 申請(qǐng)日: | 2016-12-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106603011B | 公開(公告)日: | 2019-12-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃顯核;劉東;付瑋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H03B5/04 | 分類號(hào): | H03B5/04 |
| 代理公司: | 51220 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 溫利平 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 溫度 補(bǔ)償 晶體振蕩器 | ||
本發(fā)明公開了一種壓控溫度補(bǔ)償晶體振蕩器,在現(xiàn)有的將溫度補(bǔ)償電壓和調(diào)節(jié)中心頻率的壓控電壓作為一個(gè)整體來(lái)考慮,采用一個(gè)變?nèi)荻O管,通過(guò)二元函數(shù)擬合,避免的兩個(gè)變?nèi)荻O管構(gòu)成的負(fù)載電容相互干擾問(wèn)題以及中心頻率改變后引起晶體振蕩器溫度下降問(wèn)題的基礎(chǔ)上,通過(guò)增加調(diào)試/工作開關(guān)對(duì)用戶(PC)輸出頻率控制的控制電壓以及ARM控制單元輸出的壓控電壓進(jìn)行切換,使得壓控溫度補(bǔ)償晶體振蕩器能適應(yīng)用戶(PC)輸出頻率控制為控制電壓的情形;同時(shí),由于調(diào)試狀態(tài)時(shí),對(duì)重新采集了控制電壓V0以及環(huán)境溫度T0,并重新計(jì)算了二元函數(shù)中的頻率f0,這樣減少了擬合缺陷帶來(lái)的壓控電壓V′0的計(jì)算誤差,從而提高壓控輸出頻率的準(zhǔn)確度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于晶體振蕩器技術(shù)領(lǐng)域,更為具體地講,涉及一種可變中心頻率的壓控溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(Voltage Controlled Temperature Compensate X’talOscillator,VCTCXO)。
背景技術(shù)
晶體振蕩器利用具有壓電效應(yīng)的石英晶體片制成,它在受到外加交變電場(chǎng)的作用時(shí)會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)。由于石英晶體振蕩器具有體積小、重量輕、可靠性高、頻率穩(wěn)定度高等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種通信設(shè)備中。其中使用最多的AT切型的石英晶體諧振器,其頻率隨溫度變化關(guān)系呈三次曲線。
壓控石英晶體振蕩器(Voltage Controlled Crystal Oscillator,VCXO)由石英晶體諧振器、變?nèi)荻O管和振蕩電路組成,通過(guò)控制變?nèi)荻O管的電壓,來(lái)改變變?nèi)荻O管的電容,從而“牽引”石英晶體諧振器的頻率,使得壓控石英晶體振蕩器輸出頻率可以在中心頻率上下的一個(gè)范圍內(nèi)移動(dòng),以達(dá)到調(diào)整壓控晶體振蕩器輸出頻率的目的。
溫度補(bǔ)償石英晶體振蕩器(Temperature Compensate Crystal Oscillator,TCXO)的工作原理是采用變?nèi)荻O管反向電壓的溫度特性控制方法,用一個(gè)VCXO和溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成,通過(guò)調(diào)節(jié)不同溫度下變?nèi)荻?jí)管的電壓來(lái)改變晶體的負(fù)載電容,從而調(diào)整振蕩器的輸出頻率。
壓控溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(Voltage Controlled Temperature Compensate X’tal Oscillator,簡(jiǎn)稱VCTCXO)是同時(shí)具有溫度補(bǔ)償、輸出頻率可電壓調(diào)整的晶體振蕩器。它兼具了VCXO和TCXO的優(yōu)點(diǎn),但是結(jié)構(gòu)相比更為復(fù)雜。
通常采用并聯(lián)(或串聯(lián))兩個(gè)電容的方式來(lái)組成VCTCXO,一個(gè)電容用來(lái)溫度補(bǔ)償,一個(gè)電容用來(lái)做來(lái)壓控端。例如芬蘭Micro Analog Systems Oy(MAS)公司生產(chǎn)的MAS6270VCTCXO芯片。其中并聯(lián)兩個(gè)電容的示意圖如圖1所示,一個(gè)電容用來(lái)補(bǔ)償溫度產(chǎn)生的頻率漂移。一個(gè)電容作為壓控中心頻率。
為了得到更好地溫度頻率曲線,研究人員紛紛提出了自己的構(gòu)想。其總體思路仍然都是如圖1所示的接入兩個(gè)負(fù)載電容,一個(gè)用來(lái)補(bǔ)償頻率的溫度漂移,實(shí)現(xiàn)TCXO,一個(gè)用來(lái)做壓控端,實(shí)現(xiàn)VCXO(Y.Ueno,H.Shimizu,Voltage controlled temperaturecompensated crystal oscillator using 2-port crystal resonator,Proceedings ofthe 45th Annual Symposium on Frequency Control,pp.418–425,1991)。
晶體振蕩器串聯(lián)負(fù)載電容,其輸出頻率受非線性方程控制,不滿足線性疊加原理。因此,這種兩個(gè)電容的方案,是存在不足的,下面對(duì)此進(jìn)行說(shuō)明。
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