[發明專利]一種穩壓電路

在審

• 申請號: 201611129149.5
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN108227799A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 鄧龍利
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆;胡彬

本發明實施例公開了一種穩壓電路，所述電路包括：電壓偏置單元，與快速啟動單元和第一級運算放大單元相連，用于在快速啟動單元的控制下為所述第一級運算放大單元提供偏置電壓；第一級運算放大單元，用于在所述快速啟動單元和所述偏置電壓的控制下對輸出電壓與參考電壓之間的電壓差進行放大，并將結果輸出給所述第二級運算放大單元；第二級運算放大單元，與快速啟動單元相連，用于在快速啟動單元的控制下對第一級運算放大單元的輸出電壓進行驅動能力放大，并輸出與參考電壓相同的輸出電壓；快速啟動單元，與上述各單元相連，用于在控制信號的控制下對上述各單元提供快速啟動控制信號，實現了提高穩壓電路的啟動速度的目的。

技術領域

本發明實施例涉及電路技術，尤其涉及一種穩壓電路。

背景技術

隨著集成電路的規模越來越大，復雜度也越來越高，同時對電路的各種性能要求也越來越高。

例如集成電路中經常用到的低壓差穩壓電路，參見圖1所示的傳統的低壓差穩壓電路的電路結構示意圖，電路在不工作的時候控制信號EN為低電平0，參考電壓VBG也為低電平，此時第一PMOS管MP1導通，第一NMOS管MN1關閉，電位點VP1與電源VCC相連，因此電位點VP1為高電平，同樣的原理，電位點VP2，VP3也都處于高電平，因此第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6以及第八PMOS管MP8均關閉；且由于此時控制信號ENB為高電平，因此第二NMOS管MN2導通，所以電位點VN1與地VSS相連，所以處于低電平，所以第四NMOS管MN4關閉，所以整個穩壓電路中沒有電流流過；當電路開始工作時，控制信號EN變為高電平的時候，參考電壓VBG也為高電平，MN1導通，因此電位點VP1與地VSS直接相連，所以MP2和MP3導通，電位點VN1的電位逐漸升高，MN3和MN4逐漸導通，MN4的導通使得電位點VN2與地VSS相連，所以電位點VP3為低電平(參考電壓VBG為高電平使得MN6導通)，因此MP8導通，輸出端電壓VOUT開始升高，當輸出端電壓VOUT等于參考電壓VBG的時候，電路啟動完成，處于穩定工作狀態。

由上述啟動過程可以看出，傳統的低壓差穩壓電路的啟動，需要依次啟動MN1、MP3，然后通過MP3對電位點VN1進行充電，然后使得MN4以及MP8導通，存在啟動速度較慢的缺陷，需要進行進一步改善。

發明內容

本發明提供一種穩壓電路，以提高電路的啟動速度。

本發明實施例提供一種穩壓電路，所述電路包括：

電壓偏置單元，與快速啟動單元和第一級運算放大單元相連，用于在快速啟動單元的控制下為所述第一級運算放大單元提供偏置電壓；

第一級運算放大單元，與快速啟動單元和第二級運算放大單元相連，用于在所述快速啟動單元和所述偏置電壓的控制下對輸出電壓與參考電壓之間的電壓差進行放大，并將結果輸出給所述第二級運算放大單元；

第二級運算放大單元，與快速啟動單元相連，用于在快速啟動單元的控制下對第一級運算放大單元的輸出電壓進行驅動能力放大，并輸出與參考電壓相同的輸出電壓；

快速啟動單元，與上述各單元相連，用于在控制信號的控制下對上述各單元提供快速啟動控制信號；

彌勒補償單元，分別與所述第一級運算放大單元和所述第二級運算放大單元相連，用于減慢輸出電壓的瞬態響應。

優選的，電壓偏置單元包括：第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管，其中：

所述第二PMOS管的源極與電源相連，柵極以及漏極與所述第一NMOS管的漏極相連；所述第三PMOS管的源極與電源相連，柵極與所述第二PMOS管的柵極相連，漏極與所述第三NMOS管的漏極相連；所述第一NMOS管的柵極與參考電壓相連，源極與所述第三NMOS管的的源極相連；所述第三NMOS管的漏極與柵極相連。