[發(fā)明專利]光調(diào)制的具有分離柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611129053.9
• 申請(qǐng)日: 2016-12-09
• 公開（公告）號(hào): CN108615757A
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王敬;陳文捷;梁仁榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/08
• 分類號(hào): H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張潤(rùn)

1.一種光調(diào)制的具有分離柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體層；

源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)設(shè)置在所述半導(dǎo)體層之中或所述半導(dǎo)體層之上，所述漏區(qū)設(shè)置在所述半導(dǎo)體層之中或所述半導(dǎo)體層之上；

形成在所述半導(dǎo)體層之上的兩個(gè)柵結(jié)構(gòu)，所述兩個(gè)柵結(jié)構(gòu)是分離的；

形成在所述半導(dǎo)體層之上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置所述兩個(gè)柵結(jié)構(gòu)之間，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)用于產(chǎn)生光子以激發(fā)所述半導(dǎo)體層中的電子-空穴對(duì)。

2.如權(quán)利要求1所述的光調(diào)制的具有分離柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括具有直接帶隙結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料。

3.如權(quán)利要求2所述的光調(diào)制的具有分離柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料包括氮化物半導(dǎo)體材料、砷化物半導(dǎo)體材料、氧化物半導(dǎo)體材料或銻化物半導(dǎo)體材料。

4.如權(quán)利要求1所述的光調(diào)制的具有分離柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)為發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的光調(diào)制的具有分離柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包括發(fā)光層，所述發(fā)光層為量子阱或多量子阱結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述的光調(diào)制的具有分離柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述發(fā)光層材料與所述半導(dǎo)體層的材料屬于同一系列。

7.如權(quán)利要求6所述的光調(diào)制的具有分離柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述發(fā)光層的禁帶寬度不小于所述半導(dǎo)體層的禁帶寬度。

8.如權(quán)利要求1所述的光調(diào)制的具有分離柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，還包括：

同步結(jié)構(gòu)，用于控制所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)同步開啟。

9.如權(quán)利要求1所述的光調(diào)制的具有分離柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括MOSFET、MESFET、MISFET和JFET。

10.一種集成電路，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的光調(diào)制的具有分離柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。