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[發(fā)明專利]一種多層光學薄膜光譜熱輻射率的計算方法有效

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 201611128964.X 申請日: 2016-12-09
公開(公告)號: CN106644087B 公開(公告)日: 2020-05-05
發(fā)明(設(shè)計)人: 劉華松;劉丹丹;楊霄;姜承慧;陳丹;季一勤 申請(專利權(quán))人: 天津津航技術(shù)物理研究所
主分類號: G01J5/00 分類號: G01J5/00
代理公司: 中國兵器工業(yè)集團公司專利中心 11011 代理人: 劉東升
地址: 300308 天津市*** 國省代碼: 天津;12
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摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 一種 多層 光學薄膜 光譜 熱輻射 計算方法
【說明書】:

發(fā)明屬于光譜熱輻射率表征領(lǐng)域,具體涉及一種多層光學薄膜光譜熱輻射率的計算方法。本發(fā)明提供的計算方法具有簡單可操作性,對于確定的多層薄膜?基底?多層薄膜系統(tǒng)結(jié)構(gòu),僅需確定基底與薄膜材料的熱光系數(shù),就能夠完整表達光學多層膜的光譜定向輻射率、定向輻射率、光譜輻射率和積分空間輻射率。采用本方法能夠避免直接測量的繁瑣和測量儀器的復雜結(jié)構(gòu)設(shè)計,具有一定的科學與應用價值。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于光譜熱輻射率表征領(lǐng)域,具體涉及一種多層光學薄膜光譜熱輻射率的計算方法。

背景技術(shù)

隨著紅外光電技術(shù)的發(fā)展,基于目標紅外輻射的被動光電探測與成像系統(tǒng)成為基礎(chǔ)科學和應用技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)重要的基礎(chǔ)技術(shù),如紅外熱像儀、紅外輻射測溫儀、紅外高分辨率光譜儀、紅外成像制導系統(tǒng)等。在航空航天應用領(lǐng)域,以紅外成像導引系統(tǒng)為代表的紅外光電設(shè)備,廣泛應用于飛行器中。

近年來,隨著飛行系統(tǒng)飛行速度從亞聲速向高超聲速方向發(fā)展,帶有紅外成像裝置的飛行器在稠密的大氣層中高速飛行,氣動加熱效應使光學窗口與薄膜面臨著高溫和熱沖擊的挑戰(zhàn)。在高速飛行過程氣動加熱的作用下,光學窗口與薄膜的熱輻射率隨著溫度的升高迅速增加,其輻射波段與被探測目標輻射的波段接近時,系統(tǒng)成像的質(zhì)量變得最差,嚴重時可能會淹沒被探測目標輻射的信號。由于當前高性能紅外成像探測器的水平已達到背景限,光學窗口與薄膜的熱輻射成為限制紅外成像器性能發(fā)揮的關(guān)鍵因素,也是提高高性能紅外成像探測系統(tǒng)目標探測能力的主要障礙。如何確定在高溫下光學窗口與薄膜的熱輻射特征,降低光學窗口-薄膜系統(tǒng)的熱輻射率,是目前在高速飛行平臺應用中急需解決的關(guān)鍵問題,該問題對于光學窗口與薄膜材料本身及與熱輻射相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域具有重要意義。

薄膜-基底-薄膜系統(tǒng)的熱輻射率表征方法是評價系統(tǒng)應用的關(guān)鍵。在熱輻射率的測量表征研究中,目前國內(nèi)外主要采用量熱法、反射率法、輻射能量法、多波長混合法等直接測量方法。熱輻射率的測量表征現(xiàn)狀是多種方法并存,沒有一種測量表征方法占有絕對主導地位,還未建立熱輻射率測量表征的國家或國際標準,更沒有標準的商品化設(shè)備出售。由于窗口與薄膜材料的熱輻射具有顯著的方向性,上述的直接測量方法能夠表征半球空間內(nèi)的光譜積分輻射率和法向光譜輻射率,方向光譜輻射率的直接測量在實驗裝置上較為復雜。

發(fā)明內(nèi)容

(一)要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明的目的是提出一種多層光學薄膜光譜熱輻射率的計算方法,以解決如何降低直接熱輻射測量成本與測量裝置復雜性的問題。

(二)技術(shù)方案

為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提出一種多層光學薄膜光譜熱輻射率的計算方法,該方法包括如下步驟:

(1)對多層光學薄膜的傳輸矩陣進行修正:

基底的前表面和后表面分別具有多層薄膜A和多層薄膜B,構(gòu)成多層薄膜A-基底-多層薄膜B系統(tǒng);定義光波從入射介質(zhì)通過多層薄膜A-基底-多層薄膜B的光傳輸方向為前向,相反方向為反向;

對多層薄膜中第j層薄膜進行溫度修正時的修正傳輸矩陣Mj,如公式(1)所示:

其中,j=1,2,..m,m為多層薄膜的層數(shù);λ為入射波長,θj為第j層膜內(nèi)的復折射角,dj為第j層薄膜的物理厚度,T為系統(tǒng)溫度,δj和ηj分別為第j層薄膜的相位厚度和等效導納;

根據(jù)公式(1),對多層薄膜的前向傳輸矩陣進行修正,修正后如公式(2)所示:

其中,ηs分別為基底的等效導納,θs為基底內(nèi)的復折射角;

根據(jù)公式(1),對多層薄膜的反向傳輸矩陣進行修正,修正后如公式(3)所示:

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