[發明專利]光調制的二極管和功率電路有效
| 申請號： | 201611128685.3 | 申請日： | 2016-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN106711233B | 公開（公告）日： | 2020-07-24 |
| 發明（設計）人： | 王敬;陳文捷;梁仁榮 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張潤 |
| 地址： | 10008*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 調制 二極管 功率 電路 | ||
1.一種光調制的二極管，其特征在于，包括：
第一半導體層；
形成在所述第一半導體層之上的第一金屬層；
形成在所述第一半導體層之上的發光結構，其中，所述發光結構用于產生用于激發所述第一半導體層中電子-空穴對的光線；
同步結構，用于控制所述光調制的二極管和所述發光結構同步開啟；
形成在所述第一半導體層之下的第二半導體層，所述第一半導體層與所述第二半導體層具有相反的導電類型；
形成在所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的第三半導體層，所述第三半導體層為本征半導體；
形成在所述第一半導體層之中且在所述發光結構之下的重摻雜區；
所述第一半導體層的上表面開有凹槽，所述發光結構形成在所述凹槽中，所述發光結構的側壁與所述凹槽之間設置有絕緣介質層。
2.如權利要求1所述的光調制的二極管，其特征在于，所述第一半導體層包括具有直接帶隙結構的半導體材料。
3.如權利要求2所述的光調制的二極管，其特征在于，所述半導體材料包括氮化物半導體材料、砷化物半導體材料、氧化物半導體材料或銻化物半導體材料。
4.如權利要求1所述的光調制的二極管，其特征在于，所述發光結構為發光二極管結構。
5.如權利要求4所述的光調制的二極管，其特征在于，所述發光二極管結構包括發光層，所述發光層為量子阱。
6.如權利要求5所述的光調制的二極管，其特征在于，所述發光層材料與所述第一半導體層的材料屬于同一系列。
7.如權利要求5所述的光調制的二極管，其特征在于，所述發光層的禁帶寬度不小于所述第一半導體層的禁帶寬度。
8.一種功率電路，其特征在于，包括如權利要求1-7中任一項所述的光調制的二極管。
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