[發明專利]一種利用高分辨力磁場探測的低噪聲MEMS前置放大器件有效
| 申請號： | 201611128681.5 | 申請日： | 2016-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN106646278B | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發明（設計）人： | 潘孟春;潘龍;胡佳飛;田武剛;于洋;陳棣湘;李裴森;胡靖華;杜青法;胡悅國 | 申請（專利權）人： | 中國人民解放軍國防科學技術大學 |
| 主分類號： | G01R33/00 | 分類號： | G01R33/00;G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 趙洪;譚武藝 |
| 地址： | 410073 湖南省長沙市硯瓦池正街47*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁力線聚集 基底 絕緣 磁場敏感元件 高導磁部件 磁場探測 底層線圈 前置放大 低噪聲 高分辨 頂層 低噪聲放大 高導磁材料 軸對稱布置 磁場聚集 電流線圈 調制組件 干擾性能 回形結構 信號轉化 體積小 外磁場 微壓電 放大 生長 | ||
1.一種利用高分辨力磁場探測的低噪聲MEMS前置放大器件，其特征在于：包括絕緣基底(1)和磁力線聚集器(2)，所述磁力線聚集器(2)的底面上繞設有底層線圈(3)，所述磁力線聚集器(2)的頂面上繞設有頂層線圈(4)，所述底層線圈(3)和頂層線圈(4)一起形成繞設于磁力線聚集器(2)上的電流線圈，所述磁力線聚集器(2)呈回形結構且由兩個采用高導磁材料生長在絕緣基底(1)上形成的高導磁部件(21)呈軸對稱布置構成，兩個高導磁部件(21)之間設有間隙，所述絕緣基底(1)上位于所述間隙內設有磁場敏感元件(5)，所述絕緣基底(1)上位于磁場敏感元件(5)的上方設有微壓電橋調制組件(6)。
2.根據權利要求1所述的利用高分辨力磁場探測的低噪聲MEMS前置放大器件，其特征在于：所述磁場敏感元件(5)為由第一TMR敏感元件(51)、第二TMR敏感元件(52)、第三TMR敏感元件(53)、第四TMR敏感元件(54)四者組成的惠斯通電橋，所述第一TMR敏感元件(51)、第二TMR敏感元件(52)、第三TMR敏感元件(53)、第四TMR敏感元件(54)四者的敏感磁場的方向一致，所述兩個高導磁部件(21)之間的間隙包括第一間隙(211)和第二間隙(212)，所述第一TMR敏感元件(51)和第三TMR敏感元件(53)布置于第一間隙(211)中，所述第二TMR敏感元件(52)和第四TMR敏感元件(54)布置于第二間隙(212)中。
3.根據權利要求1所述的利用高分辨力磁場探測的低噪聲MEMS前置放大器件，其特征在于：所述微壓電橋調制組件(6)包括微壓懸臂梁(61)，所述微壓懸臂梁(61)分別和設于絕緣基底(1)上的第七連接電極(17)和第八連接電極(18)相連，所述微壓懸臂梁(61)的兩端分別設有微壓電橋基座(62)，所述微壓懸臂梁(61)通過微壓電橋基座(62)固定于絕緣基底(1)上，所述微壓懸臂梁(61)的底面上位于第一間隙(211)和第二間隙(212)的位置均設有調制膜(63)。
4.根據權利要求3所述的利用高分辨力磁場探測的低噪聲MEMS前置放大器件，其特征在于：所述微壓懸臂梁(61)采用壓電晶體材料制成。
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