[發明專利]一種晶背減薄方法及所使用的圓形治具

有效

• 申請號: 201611128498.5
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN108231567B
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 曹雪平;劉魁;徐忠良
• 申請（專利權）人: 和艦科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/67
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 張建鵬

1.一種晶背減薄方法，包括以下步驟：

(1)使用圓形治具固定晶圓，其中在晶圓背面放置所述圓形治具，所述圓形治具為中空環狀結構且具有直徑不同的內邊緣和外邊緣，所述圓形治具使所述晶圓完全嵌在所述圓形治具中央與所述內邊緣貼合；

(2)在由所述圓形治具固定的所述晶圓正面貼膜，采用貼膠機在所述晶圓正面貼附一層膠帶膜并使所述晶圓正面貼合的所述膠帶膜突出所述晶圓和所述圓形治具外邊緣，所述膠帶膜不與酸性或堿性溶液反應且所述膠帶膜面積大于所述晶圓面積；

(3)沿所述圓形治具的外邊緣對所述晶圓正面貼附的所述膠帶膜進行切割，使所述膠帶膜突出所述晶圓1-2mm；

(4)去除所述圓形治具，將步驟(3)中得到的所述晶圓移至研磨機中采用研磨輪在所述晶圓背面進行機械研磨至設定厚度；

(5)將具有突出晶圓1-2mm膠帶膜的所述晶圓取出移至特氟龍卡盒中；

(6)在盛有步驟(5)得到的所述晶圓的所述特氟龍卡盒中放入所需酸液從而形成酸槽，并在所述酸槽中進行晶圓背面酸法蝕刻；

(7)將步驟(6)中得到的背面蝕刻后的所述晶圓進行撕膜，去除所述晶圓正面的所述膠帶膜；

(8)對步驟(7)中得到的去除所述膠帶膜后的所述晶圓進行背面金屬沉積，得到沉積有所需金屬組分的晶圓。

2.如權利要求1中所述的晶背減薄方法，其中步驟(6)中所述酸槽內部設有2根壓桿，在所述晶圓的所述壓桿與所述晶圓壓接的部位處不設置所述膠帶膜。

3.如權利要求1中所述的晶背減薄方法，其中步驟(8)包含依次在晶圓背面沉積Ti、Ni、Cu、Ni形成多層金屬沉積層。

4.一種用于權利要求1-3中任一項所述的晶背減薄方法中的圓形治具，其中所述圓形治具為中空環狀結構，所述圓形治具分為上部和下部，其中所述上部和所述下部各具有一個外徑和一個內徑，所述上部的外徑小于所述下部的外徑，所述上部的內徑與所述下部的內徑相同。

5.如權利要求4所述的圓形治具，其中所述圓形治具有一個缺口。

6.如權利要求5所述的圓形治具，其中所述圓形治具的缺口占所述圓形治具外周周長的比例為1/8-1/4。

7.如權利要求6所述的圓形治具，其中所述圓形治具的缺口占所述圓形治具外周周長的比例為1/6。