[發明專利]基于NAND flash的掉電保護方法和裝置

有效

• 申請號: 201611128441.5
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN108614744B
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 陳誠
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G06F11/14
• 分類號: G06F11/14
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆;胡彬

本發明實施例公開了一種基于NAND flash的掉電保護方法，所述NAND flash包括MLC塊和SLC塊，所述MLC塊的數據頁包括MSB頁和與其對應的LSB頁，所述方法包括：執行對MLC塊的寫命令第一個寫動作之前，判斷當前待寫數據頁是否為MSB頁；當判斷出所述當前待寫數據頁是MSB頁時，將所述當前待寫數據頁對應的LSB頁的數據備份到SLC塊中；執行對MLC塊的寫命令最后一個寫動作之后，判斷寫入的最后一頁是否為MSB頁；當判斷出所述寫入的最后一頁是MSB頁時，將所述寫入的最后一頁對應的LSB頁的數據備份到所述SLC塊中。本發明實施例解決了MSB頁因掉電而引起的LSB頁讀錯誤的問題，實現了保證LSB數據不受損壞，降低了數據存儲過程中的出錯概率。

技術領域

本發明實施例涉及存儲器技術，尤其涉及一種基于NAND flash的掉電保護方法和裝置。

背景技術

EMMC(Embedded Multi Media Card)是嵌入式多媒體卡，是MMC協會訂立的、主要針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規格。EMMC在封裝中集成了一個控制器，它提供標準接口并管理閃存，使得手機廠商能專注于產品開發的其他部分，并縮短向市場推出產品的時間。NAND flash是Flash內存的一種，屬于非易失性存儲設備。

對于基于NAND flash的EMMC產品，其NAND flash中的數據塊可以有兩種類型，一種是MLC(multi-level cell，多層單元)，一種是SLC(single-level cell,單層單元)。其中，MLC塊包含多個MSB(Most significant bit，最高有效位)頁(對應Upper page，慢頁)和多個對應的LSB(Least significant bit，最低有效位)頁(對應Lower page，快頁)。而對于MLC塊，如果其MSB頁在寫的過程中掉電，則對應的LSB頁很有可能出現不可糾正的讀錯誤。按照EMMC協議，掉電發生時正在寫入的數據允許恢復為舊數據，但已完成寫命令的數據要確保正確。因此，當MSB頁在寫的過程中掉電，需要及時進行掉電保護。

發明內容

本發明實施例提供一種基于NAND flash的掉電保護方法和裝置，以解決因MSB頁在寫的過程中掉電而引起的LSB頁讀錯誤的問題。

第一方面，本發明實施例提供了一種基于NAND flash的掉電保護方法，所述NANDflash包括MLC塊和SLC塊，所述MLC塊的數據頁包括MSB頁和與其對應的LSB頁，所述方法包括：

執行對MLC塊的寫命令第一個寫動作之前，判斷當前待寫數據頁是否為MSB頁；

當判斷出所述當前待寫數據頁是MSB頁時，將所述當前待寫數據頁對應的LSB頁的數據備份到SLC塊中；

執行對MLC塊的寫命令最后一個寫動作之后，判斷寫入的最后一頁是否為MSB頁；

當判斷出所述寫入的最后一頁是MSB頁時，將所述寫入的最后一頁對應的LSB頁的數據備份到所述SLC塊中。

進一步的，所述方法還包括：

在所述將當前待寫數據頁對應的LSB頁的數據備份到SLC塊中之后，在所述當前待寫數據頁對應的LSB頁中寫入已備份標記，并記錄所述當前待寫數據頁對應的LSB頁與所述SLC塊的數據存儲位置的映射關系；以及

在所述將寫入的最后一頁對應的LSB頁的數據備份到所述SLC塊中之后，在所述寫入的最后一頁對應的LSB頁中寫入已備份標記，并記錄所述寫入的最后一頁對應的LSB頁與所述SLC塊的數據存儲位置的映射關系。

第二方面，本發明實施例還提供了一種基于NAND flash的掉電保護裝置，所述NAND flash包括MLC塊和SLC塊，所述MLC塊的數據頁包括MSB頁和與其對應的LSB頁，所述裝置包括：