[發明專利]基于NAND flash的超級數據塊處理方法和裝置

在審

• 申請號: 201611128432.6
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN108614743A
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 陳誠
• 申請（專利權）人: 北京京存技術有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G06F11/20
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆;胡彬

本發明實施例公開了一種基于NAND flash的超級數據塊處理方法和裝置，其中，所述方法包括檢測所述超級數據塊中是否存在壞塊；當檢測出存在壞塊時，按照預設規則，從所述零散數據塊池中獲取目標零散數據塊，用目標零散數據塊替換所述壞塊；記錄所述超級數據塊的塊號、所述壞塊所屬NAND flash單元的信息以及目標零散數據塊的塊號，以便對替換后的超級數據塊進行管理。本發明實施例解決了現有技術中因超級數據塊中壞塊增多而造成的存儲設備中可用存儲空間迅速減少的問題，通過利用目標零散數據塊替換超級數據塊中的壞塊，得到了新的超級數據塊，避免了超級數據塊中積累過多的壞塊，進而節約了存儲空間，提高了存儲設備中存儲空間的有效利用率，使存儲設備更高效的工作。

技術領域

本發明實施例涉及存儲器技術，尤其涉及一種基于NAND flash的超級數據塊處理方法和裝置。

背景技術

NAND Flash是Flash內存的一種，屬于非易失性存儲設備(Non-volatileMemoryDevice)。

通常，基于NAND flash的存儲設備，當NAND flash的某個數據塊出現不可糾正的讀/寫/擦錯誤時，內部固件會將其標記為壞塊而不再使用。若存儲設備中嵌入多個NANDflash時，則是NAND flash中的多個數據塊組成超級數據塊同時使用。但是，當超級數據塊中的某個數據塊壞了，則該超級數據塊就不能使用，而隨著壞塊的增多，存儲設備中的可用存儲空間將迅速減少。

發明內容

本發明實施例提供一種基于NAND flash的超級數據塊處理方法和裝置，以解決現有技術中因超級數據塊中壞塊增多而造成的存儲設備中可用存儲空間迅速減少的問題。

第一方面，本發明實施例提供了一種基于NAND flash的超級數據塊處理方法，應用于NAND flash存儲設備，所述存儲設備包括至少兩個NAND flash單元，所述存儲設備中還包括基于所述NAND flash單元的零散數據塊池，所述零散數據塊池中包括至少一個零散數據塊；

所述方法包括：

檢測所述超級數據塊中是否存在壞塊；

當檢測出存在壞塊時，按照預設規則，從所述零散數據塊池中獲取目標零散數據塊，用目標零散數據塊替換所述壞塊；

記錄所述超級數據塊的塊號、所述壞塊所屬NAND flash單元的信息以及目標零散數據塊的塊號。

第二方面，本發明實施例還提供了一種基于NAND flash的超級數據塊處理裝置，應用于NAND flash存儲設備，所述存儲設備包括至少兩個NAND flash單元，所述存儲設備中還包括基于所述NAND flash單元的零散數據塊池，所述零散數據塊池中包括至少一個零散數據塊；

所述裝置包括：

檢測模塊，用于檢測超級數據塊中是否存在壞塊；

替換模塊，用于當檢測模塊檢測出超級數據塊中存在壞塊時，按照預設規則，從所述零散數據塊池中獲取目標零散數據塊，用目標零散數據塊替換所述壞塊；

記錄模塊，用于記錄所述超級數據塊的塊號、所述壞塊所屬NAND flash單元的信息以及目標零散數據塊的塊號。

本發明實施例通過利用目標零散數據塊替換超級數據塊中的壞塊，得到了新的超級數據塊，避免了超級數據塊中因存在壞塊而導致該超級數據塊整體不可用，解決了現有技術中因超級數據塊中壞塊增多而造成的存儲設備中可用存儲空間迅速減少的問題，進而節約了存儲空間，提高了存儲設備中存儲空間的有效利用率，使存儲設備更高效的工作。

附圖說明

圖1是本發明實施例一中一種基于NAND flash的超級數據塊處理方法的流程圖；