[發明專利]微機械壓力傳感器裝置的制造方法和相應的微機械壓力傳感器裝置

有效

• 申請號: 201611128415.2
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN106986301B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 武震宇
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/02;G01L9/12
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 韓長永

1.一種微機械壓力傳感器裝置(100)的制造方法，其具有下述步驟：

A)提供具有至少第一至第四槽(G1；G2；G3；G4)的基底(1)，所述至少第一至第四槽從所述基底(1)的正面(V1)出發平行地延伸并且彼此隔開間距；

B)將一個層(S1)沉積到所述正面(V1)上，其中，將所述至少第一至第四槽(G1；G2；G3；G4)封閉，并且將所述層(S1)結構化，其中，在所述層(S1)中在第二和第四槽(G2；G4)的上方構造接觸結構(20；30)；

C)將所述接觸結構(20；30)以及所述第二和第四槽(G2；G4)的向外暴露的側面(40)至少部分地氧化(O1)；

D)使第一金屬接觸材料(M1)沉積并且結構化，其中，將所述接觸結構(20；30)至少部分地以所述第一金屬接觸材料(M1)填充；

E)從所述基底(1)的背面(R1)打開所述第二槽(G2)和所述第四槽(G4)；

F)將第二金屬接觸材料(M2)經過所述基底(1)的背面(R1)電沉積到所述第二和第四槽(G2；G4)中，其中，所述第二金屬接觸材料(M2)沉積在經氧化的側面(40)上，由此形成一壓敏電容性的電容器結構(K1)；并且

G)從所述基底(1)的正面(V1)打開所述第一槽(G1)，其中，形成用于所述壓敏電容性的電容器結構(K1)的壓力通道(D1)。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中，為了構造所述至少第一至第四槽(G1；G2；G3；G4)，在所述基底(1)的正面(V1)上實施N-格柵(N1)。

3.根據權利要求1或2所述的制造方法，其中，對于所述基底(1)使用多孔硅。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其中，在所述基底(1)中將分析電子裝置(A1)和/或雙極處理器(A1’)集成到基底層面上。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其中，對于所述層(S1)使用單晶硅。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其中，至少部分地氧化的側面(40)用于所述第一金屬接觸材料(M1)和所述第二金屬接觸材料(M2)的沉積。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其中，在所述第一金屬接觸材料(M1)沉積和結構化時至少部分地構造金屬導線線路(LB1)，并且將所述金屬導線線路(LB1)用于所述第二金屬接觸材料(M2)的電沉積。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其中，在所述第二金屬接觸材料(M2)電沉積之后至少部分地去除所述金屬導線線路(LB1)。