[發明專利]濺射裝置

有效

• 申請號: 201611128345.0
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN106854753B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 孫尚佑;姜賢株;鄭敞午
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 齊葵;周艷玲

1.一種濺射裝置，包括：

工藝腔室；

多個濺射靶，被設置于所述工藝腔室的內部；

基板架，與所述濺射靶相對配置，用于支撐待沉積濺射靶物質的基板；以及

濺射靶驅動部，以使所述濺射靶傾斜的方式旋轉驅動所述濺射靶，

在所述多個濺射靶之間配置有至少一個接地護罩，

所述接地護罩的朝向所述基板的前端設置成沿所述濺射靶的長度方向相較于所述濺射靶細長地延伸的形狀。

2.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，

所述濺射靶驅動部能夠對多個所述濺射靶中的每一個進行驅動，以使多個所述濺射靶中的每一個分別傾斜。

3.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，

所述濺射靶形成為具有平面的桿形狀。

4.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，

所述濺射靶驅動部包括用于旋轉所述濺射靶的電動機，

所述電動機以沿與所述濺射靶的長度方向平行的方向延伸的軸為中心旋轉驅動所述濺射靶。

5.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，

所述濺射靶以25rpm至35rpm的速度旋轉。

6.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，

所述濺射靶在30度至45度的角度范圍內旋轉。

7.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，

所述濺射靶通過靶架來支撐，所述靶架與第一電極連接，

所述基板架與第二電極連接，

通過對所述第一電極和所述第二電極施加極性相反的電壓，從而在所述工藝腔室的內部形成等離子體。

8.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，

在所述濺射靶的下部進一步包括磁體，所述磁體用于將形成于所述工藝腔室的內部的等離子體維持在所述濺射靶的上部。

9.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，

進一步包括沉積掩模，所述沉積掩模被配置在所述濺射靶與被支撐在所述基板架的基板之間。

10.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，

所述濺射靶和被支撐在所述基板架的基板被配置為以140mm至160mm的間隔相隔。