[發(fā)明專利]模板電沉積法制備有序的聚苯胺納米管陣列贗電容電極的方法及應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611128016.6
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN106653399A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馮曉苗;李會華;馬延文;黃鎮(zhèn)東;劉瑞卿;汪聯(lián)輝
• 申請（專利權(quán)）人: 南京郵電大學(xué)
• 主分類號: H01G11/86
• 分類號: H01G11/86
• 代理公司: 南京知識律師事務(wù)所32207
• 代理人: 陳思

1.一種模板電沉積法制備聚苯胺有序納米管陣列贗電容電極的方法，其特征在于，該方法的步驟為：

步驟一：將聚碳酸酯薄膜通過電子束蒸發(fā)來修飾50-100nm的金，用來作為集電器；

步驟二：用0.1M H₂SO₄,0.5M Na₂SO₄和0.1M aniline來配制電沉積溶液；

步驟三：通過循環(huán)伏安法來制得聚苯胺陣列贗電容電極，在電沉積的過程中，Au/PC薄膜用來作為工作電極，Ag/AgCl電極和鉑絲分別用來作為參比和對電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模板電沉積法制備聚苯胺有序納米管陣列贗電容電極的方法，其特征在于，步驟一中，所用的聚碳酸酯薄膜修飾的金為85nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模板電沉積法制備聚苯胺有序納米管陣列贗電容電極的方法，其特征在于，步驟二中，硫酸、苯胺和硫酸鈉的用量比為硫酸：苯胺單體：硫酸鈉＝670μL:185μL:1.42g。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模板電沉積法制備聚苯胺有序納米管陣列贗電容電極的方法，其特征在于，步驟二中，先將硫酸鈉和硫酸配置成混合水溶液，再將苯胺添加到混合溶液中，并攪拌均勻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模板電沉積法制備聚苯胺有序納米管陣列贗電容電極的方法，其特征在于，步驟三中，循環(huán)伏安法使用的掃描速度為50mV s^-1、電位窗口為-0.4to 1.0V。

6.一種如權(quán)利要求1-5中任一項所述的聚苯胺有序納米管陣列贗電容電極的用途，其特征在于，該有序納米管陣列材料可用于贗電容超級電容器的電極材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用途，其特征在于，將PVA/H₂SO₄均勻的涂抹在兩片聚苯胺有序納米管陣列贗電容電極材料上，將兩片電極材料進行自組裝形成柔性全固態(tài)的超級電容器。