[發明專利]圖像傳感器、其制造方法和包括該圖像傳感器的系統有效
申請號: | 201611127788.8 | 申請日: | 2016-12-09 |
公開(公告)號: | CN106856201B | 公開(公告)日: | 2021-12-28 |
發明(設計)人: | 吳暎宣;樸東赫;權熙相 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 制造 方法 包括 系統 | ||
1.一種圖像傳感器,包括
基板,包括像素區域、第一側以及與所述第一側相反的第二側,其中光入射到所述第二側并且所述像素區域包括多個像素;
像素分隔結構,布置在所述基板中以使所述像素彼此分離并且在其中包括導電層;以及
電壓施加線層,與所述導電層間隔開并且布置在所述基板上以圍繞所述像素區域的外部分的至少一部分,其中所述電壓施加線層通過至少一個接觸電連接到所述導電層,以及其中所述電壓施加線層布置在所述像素區域內,并且設置在所述導電層之上使得整個所述電壓施加線層與所述導電層重疊并以線的形式延伸。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中當作為水平截面看時,所述像素區域具有矩形形狀,所述電壓施加線層具有圍繞所述像素區域的所述外部分的矩形環形狀,并且所述至少一個接觸布置在所述矩形環形狀的每條邊處。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中當作為水平截面看時,所述像素區域具有矩形形狀,所述電壓施加線層被提供在四個部分中,該四個部分的每個具有與所述矩形形狀的拐角部分相應的L形狀,并且所述至少一個接觸布置在所述四個部分的每個處。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中當作為水平截面看時,所述像素區域具有矩形形狀,所述電壓施加線層被提供在四個部分中,該四個部分的每個具有與所述矩形形狀的側部分相應的條形狀,并且所述至少一個接觸布置在所述四個部分的每個處。
5.根據權利要求1所述的圖像傳感器,還包括:
布置在所述第一側的內部線層;以及
虛設區域,在所述基板中鄰近所述像素區域布置并且包含至少一個虛設像素,其中所述電壓施加線層和所述內部線層的至少一個通過虛設接觸電連接到所述至少一個虛設像素。
6.根據權利要求5所述的圖像傳感器,其中所述虛設區域布置為圍繞所述像素區域,所述虛設接觸包括多個虛設接觸,并且所述虛設接觸布置為對應于所述虛設區域的形狀并且彼此間隔開間距。
7.根據權利要求5所述的圖像傳感器,其中當作為水平截面看時,所述像素區域具有矩形形狀,其中當作為水平截面看時,所述虛設區域具有矩形環形狀并且圍繞所述像素區域,以及其中所述圖像傳感器還包括:
虛設線層,對應于所述矩形環形狀,其中所述虛設接觸布置在所述虛設線層和所述至少一個虛設像素之間,以及其中所述虛設線層通過連接線層連接到所述電壓施加線層和所述內部線層的至少一個。
8.根據權利要求5所述的圖像傳感器,其中所述電壓施加線層包含延伸到所述虛設區域的突起,以及其中所述虛設接觸布置在所述突起和所述至少一個虛設像素之間。
9.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述電壓施加線層布置在所述第一側或所述第二側上。
10.根據權利要求9所述的圖像傳感器,還包括布置在所述第一側上的內部線層,其中所述電壓施加線層和所述內部線層的至少一個通過虛設接觸電連接到布置在所述像素區域外部的虛設像素。
11.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述像素分隔結構包含深溝槽隔離(DTI)層和布置在所述深溝槽隔離層中的所述導電層,其中絕緣層布置在所述第一側或所述第二側,并且其中所述接觸在穿透所述絕緣層之后連接到所述導電層。
12.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中負電壓被施加到所述電壓施加線層,以及其中所述負電壓通過所述接觸被施加到整個所述導電層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的