[發明專利]多結太陽能電池有效
| 申請號: | 201611127622.6 | 申請日: | 2016-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN106887481B | 公開(公告)日: | 2019-07-19 |
| 發明(設計)人: | L·埃貝爾;W·古特;M·莫伊澤爾 | 申請(專利權)人: | 阿聚爾斯佩西太陽能有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/0687 | 分類號: | H01L31/0687;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 侯鳴慧 |
| 地址: | 德國海*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 | ||
1.堆疊狀的多結太陽能電池MS,其包括:第一子電池SC1,和第二子電池
SC2,其中,所述第二子電池SC2具有比所述第一子電池SC1大的帶隙,和第三子電池SC3,其中,所述第三子電池SC3具有比所述第二子電池SC2大的帶隙,并且所述子電池SC1,SC2,SC3中的每個子電池具有發射極和基極,并且第二子電池SC2包括具有一化合物的層S2,所述化合物至少具有元素GaInAsP,并且所述層S2的厚度大于100納米,并且所述層S2構造為所述發射極的一部分和/或所述基極的一部分和/或位于發射極與基極之間的空間電荷區的一部分,并且所述層S2的晶格常數小于5.84埃,第三子電池SC3包括具有一化合物的層S3,所述化合物至少具有元素GaInP,并且所述層S3的厚度大于100納米,并且所述層S3構造為發射極的一部分和/或基極的一部分和/或位于發射極與基極之間的空間電荷區的一部分,在兩個子電池之間不構造半導體鍵合,并且所述第三子電池SC3的所述層S3的晶格常數與所述第二子電池SC2的所述層S2的晶格常數的差別小于0.2%,其特征在于,所述第一子電池主要具有鍺,在所述第二子電池SC2中,所述層S2的磷含量大于1%且小于45%,并且所述層S2的銦含量小50%,并且在所述第一子電池SC1與所述第二子電池SC2之間構造有變質緩沖器MP1,其中,所述緩沖器MP1具有至少三個層的序列,并且晶格常數在所述序列情況下向所述第二子電池SC2方向逐層提高,并且第五子電池SC5被布置在所述第二子電池SC2與所述第三子電池SC3之間,并且所述第五子電池SC5包括具有化合物的層S5,所述化合物至少包括元素AlGaInAs或者AlGaInAsP或者GaInP,并且所述層S5的厚度大于100納米,并且所述層S5構造為所述發射極的一部分和/或所述基極的一部分和/或位于發射極與基極之間的空間電荷區的一部分,或者第五子電池SC5被布置在所述第二子電池SC2與第四子電池SC4之間,并且所述第五子電池SC5的所述層S5包括化合物,所述化合物至少具有元素GaInAs,并且所述第五子電池SC5的所述層S5的厚度大于100納米,并且所述層S5構造為發射極的一部分和/或基極的一部分和/或位于發射極與基極之間的空間電荷區的一部分。
2.根據權利要求1所述的多結太陽能電池MS,其特征在于,所述第二子電池SC2的所述層S2具有1.2電子伏特到1.3電子伏特范圍中的能量帶隙。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的多結太陽能電池MS,其特征在于,
兩個直接相互跟隨的子電池具有不同的元素。
4.根據權利要求1或權利要求2所述的多結太陽能電池MS,其特征在于,
第四子電池SC4被布置在所述第二子電池SC2與所述第三子電池SC3之間,并且所述第四子電池SC4的層S4具有化合物,所述化合物至少具有元素AlGaInAs或者GaInAsP,并且所述層S4的厚度大于100納米,并且所述層S4構造為所述發射極的一部分和/或所述基極的一部分和/或位于發射極與基極之間的空間電荷區的一部分,或者第四子電池SC4被布置在所述第一子電池SC1與所述第二子電池SC2之間,并且所述第四子電池SC4的所述層S4具有化合物,所述化合物至少具有元素GaInAs或者GaInNAs,并且厚度大于100納米,并且所述層S4構造為所述發射極的一部分和/或所述基極的一部分和/或位于發射極與基極之間的空間電荷區的一部分。
5.根據權利要求1或權利要求2所述的多結太陽能電池MS,其特征在于,
所述第三子電池SC3的所述層S3包括至少具有元素AlGaInP的化合物。
6.根據權利要求1或權利要求2所述的多結太陽能電池MS,其特征在于,
構造有半導體鏡HS1,并且所述半導體鏡HS1被布置在所述第一子電池SC1與所述第二子電池SC2之間和/或被布置在所述第一子電池SC1與所述第四子電池SC4之間。
7.根據權利要求4所述的多結太陽能電池MS,其特征在于,所述第二子電
池SC2的所述層S2或者所述第四子電池SC4的所述層S4包括至少具有元素AlGaInAsP的化合物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





