[發明專利]過氧化全氟聚氧化烯烴化合物的制造方法有效
| 申請號： | 201611127246.0 | 申請日： | 2016-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN106866953B | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發明（設計）人： | 渡邊佳一郎;中谷英樹;志野元久;高桑達哉;森本和賀 | 申請（專利權）人： | 大金工業株式會社 |
| 主分類號： | C08G65/00 | 分類號： | C08G65/00 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 過氧化 全氟聚 氧化 烯烴 化合物 制造 方法 | ||
1.一種制造過氧化全氟聚氧化烯烴化合物的方法，其特征在于：
包括使全氟烯烴與氧反應的步驟，其中，使全氟烯烴與氧的反應在微型反應器中在－100～30℃進行，不使用HCFC系溶劑或CFC系溶劑。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：
還包括向含有全氟烯烴和氧的反應混合物中導入氟源的步驟。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：
氟源為F2。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：
還包括對含有全氟烯烴和氧的反應混合物進行光照射的步驟。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于：
光照射通過照射具有200nm～350nm的波長的光來進行。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：
還包括向含有全氟烯烴和氧的反應混合物中導入氟源，再進行光照射的步驟。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于：
氟源為F2，光照射通過照射具有200nm～350nm的波長的光來進行。
8.如權利要求1～7中任一項所述的方法，其特征在于：
全氟烯烴為四氟乙烯。
9.如權利要求1～7中任一項所述的方法，其特征在于：
過氧化全氟聚氧化烯烴化合物為下述式(I)所示的化合物，
Rf－[(OC4F8)a－(OC3F6)b－(OC2F4)c－(OCF2)d－(O)e]－Rf’…(I)
式中：
Rf和Rf’分別獨立地為－CF3、－CF2CF3、－COF或－CF2COF，
a和b分別獨立地為0以上100以下的整數，
c和d分別獨立地為2以上1000以下的整數，
a、b、c和d的和為2以上2000以下的整數，
e為0以上250以下的整數，
附有腳標a、b、c、d或e并以括號括起來的各重復單元的存在順序在式中是任意的。
10.如權利要求1～7中任一項所述的方法，其特征在于：
全氟烯烴為四氟乙烯，
過氧化全氟聚氧化烯烴化合物為下述式(I)所示的化合物，
Rf－[(OC4F8)a－(OC3F6)b－(OC2F4)c－(OCF2)d－(O)e]－Rf’…(I)
式中：
Rf和Rf’分別獨立地為－CF3、－CF2CF3、－COF或－CF2COF，
a和b分別獨立地為0以上100以下的整數，
c和d分別獨立地為2以上1000以下的整數，
a、b、c和d的和為2以上2000以下的整數，
e為0以上250以下的整數，
附有腳標a、b、c、d或e并以括號括起來的各重復單元的存在順序在式中是任意的。
11.如權利要求9所述的方法，其特征在于：
過氧化全氟聚氧化烯烴化合物中，c/d比為5.0以下。
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